| 05.12.2011 Томская область: в ОЭЗ открылось новое инновационное совместное предприятие 1 декабря в особой экономической зоне технико-внедренческого типа в г. Томске состоялось торжественное открытие центра разработок телекоммуникационного оборудования поколения 4G, и, в частности, базовых станций LTE. Long Term Evolution (LTE) — технология мобильной передачи данных, является стандартом по совершенствованию технологий CDMA, UMTS для удовлетворения будущих потребностей в скорости передачи данных. Эти усовершенствования могут, например, повысить эффективность, снизить издержки, расширить и совершенствовать уже оказываемые услуги, а также интегрироваться с уже существующими протоколами. Учредителями совместного предприятия выступили Nokia Siemens Networks, НПФ «Микран» (ООО «Центр беспроводных технологий»). Сотрудничество проходит совместно с ОАО «РОСНАНО». Как сообщила пресс-служба , в торжественной церемонии открытия совместного предприятия приняла участие заместитель директора Департамента особых экономических зон и проектного финансирования Т. Балмышева. Совместное производство Nokia Siemens Networks и НПФ «Микран» обеспечит разработку передовой технологической инфраструктуры. Инновационный продукт предназначен для продажи на российском и зарубежных рынках и будет использован для построения в России сетей мобильной широкополосной связи четвертого поколения LTE. Общий объем планируемых инвестиций составит более 350 млн руб. с организацией более 100 рабочих мест. Научно-производственная фирма «Микран» создана в апреле 1991 г. сотрудниками лаборатории СВЧ усилителей Томского университета систем управления и радиоэлектроники (ТУСУР). НПФ «Микран» реализует сложные проекты в сфере высоких технологий на основе полного научно-производственного цикла: «научные исследования ( в том числе маркетинговые) – разработка – производство – сервис – сбыт – сопровождение продукции» в области СВЧ – радиоэлектроники. 25 октября 2011 года резидент ОЭЗ ООО «Микран» сменил наименование на Общество с ограниченной ответственностью «Центр беспроводных технологий» (ООО «ЦБТ»). ОЭЗ ТВТ в г. Томске создана Постановлением Правительства Российской Федерации от 21.12.2005 № 783. Основными направлениями деятельности резидентов ОЭЗ ТВТ являются микро- и наноэлектроника, оптоэлектроника, биоинформационные и биосенсорные технологии, информационно-коммуникационные системы, нанотехнологии и наноматериалы. По состоянию на 1 декабря 2011 года в ОЭЗ в г. Томске зарегистрировано 54 резидента ОЭЗ. |