ИННОВАЦИИ И ПРЕДПРИНИМАТЕЛЬСТВО: ГРАНТЫ, ТЕХНОЛОГИИ, ПАТЕНТЫ
innovbusiness.ru

Печать

Страницы: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  


     модули   отображения   информации  (табло  и  экраны  стандартных
форматов, в том числе плоские телевизионные дисплеи);
     модули   позиционирования   и   ориентирования,  отсчета  единого
времени;
     модули    ввода    и    вывода    данных,   аналого-цифрового   и
цифроаналогового преобразования данных, контроллеров;
     модули   управления   движением   (ориентация,   стабилизация)  и
наведением (в инфракрасном, радиочастотном и телеметрическом режимах);
     модули управления бортовыми радиотехническими средствами;
     модули  охранных систем и блоков управления оптико-электронными и
лазерными   средствами   наблюдения,  измерения  и  предупреждения  об
опасности;
     модули контрольно-измерительной радиоэлектронной аппаратуры.
     Кроме  того, предусматривается разработка базовых конструкторских
решений,  обеспечивающих  наиболее  эффективный  способ  размещения  и
соединения   блоков   и   узлов,   повышение  механической  прочности,
уменьшение габаритных характеристик и оптимизацию тепловых нагрузочных
характеристик  радиоаппаратуры.  Главными условиями разработки базовых
конструкций   являются  требование  соответствия  действующим  мировым
стандартам  и аналогам, использование магистрально-модульного принципа
при  создании  аппаратуры  двойного  и  гражданского  назначения, учет
требований   информационных  технологий  поддержки  жизненного  цикла,
обеспечение   возможности   экспорта   аппаратуры   с   учетом   задач
импортозамещения   и  конкурентоспособности  по  технико-экономическим
показателям,  обеспечение технической и радиотехнической совместимости
с   объектами-носителями,   использование   современных  материалов  и
технологий формообразования.
     В  рамках  направления "Типовые базовые технологические процессы"
предусматриваются:
     разработка     технологии    изготовления    сверхвысокочастотных
полосковых плат с рабочими частотами до 40 ГГц, адаптированных к новой
электронной компонентной базе сверхвысокочастотного диапазона;
     разработка  технологии  изготовления  многослойных  высокоплотных
печатных плат, в том числе с прямой металлизацией отверстий;
     освоение    технологий    нанесения   новых   финишных   покрытий
(никель-золото,    иммерсионное   олово),   обеспечивающих   повышение
надежности   бессвинцовой  пайки  компонентов,  сборку  аппаратуры  из
электронной  компонентной  базы  в  малогабаритных корпусах различного
типа, в том числе с матричным расположением выводов;
     освоение производства прецизионных печатных плат 5-го класса;
     разработка  технологии  изготовления печатных плат со встроенными
пассивными  интегрированными компонентами, позволяющей сократить на 20
- 30 процентов трудоемкость сборочных работ;
     разработка технологии изготовления термонагруженных печатных плат
с большой теплопроводностью и высокими диэлектрическими свойствами;
     развитие лазерной технологии изготовления печатных плат;
     разработка    базовой    квазимонолитной    технологии    монтажа
сверхвысокочастотных  специализированных приборов с рабочими частотами
до  5  -  18  ГГц  в  сочетании  с тонкопленочной технологией высокого
уровня;
     разработка  базовых технологий сборки, монтажа и технологического
контроля   унифицированных   электронных   модулей   на  основе  новой
компонентной базы, новых технологических и конструкционных материалов,
в  том  числе  высокоточное  дозирование паст на контактных площадках,
высокоточная   установка  компонентов  без  необходимости  визуального
контроля и прямого доступа к паяным контактам;
     развитие  новых методов присоединения, сварки, пайки, в том числе
с применением бессвинцовых припоев;
     освоение  методов  производственного автоматизированного контроля
сборки и пайки элементов различного типа;
     разработка   новых   методов   маркировки   и   нанесения   меток
идентификации.
     В    рамках    направления    "Развитие    технологий    создания
радиоэлектронных систем и комплексов" предполагается провести комплекс
исследований  и  разработок  по  следующим  перспективным направлениям
развития радиоэлектроники:
     базовые  технологии  создания  информационно-управляющих систем и
комплексов;
     технологии    моделирования   информационно-управляющих   систем,
включая системы реального времени;
     технологии    обработки   информации,   адаптации,   обучения   и
самообучения;
     технологии обеспечения информационной безопасности.
     В   рамках   направления  "Обеспечивающие  работы"  предусмотрено
выполнение мероприятий, включающих в себя:
     разработку  межведомственной  информационно-справочной  системы и
баз    данных   по   библиотекам   стандартных   элементов,   правилам
проектирования;
     разработку   научно   обоснованных  рекомендаций  по  дальнейшему
развитию  электронной компонентной базы и радиоэлектроники, подготовку
комплектов  документов  программно-целевого  развития радиоэлектронной
техники  в  интересах  обеспечения  технологической  и  информационной
безопасности России;
     создание    и   внедрение   методической   и   научно-технической
документации  по проектированию сложной электронной компонентной базы,
унификации   электронных   модулей   и   радиоэлектронной  аппаратуры,
обеспечению    надежности    и   качества   продукции,   экологической
безопасности  производства,  защите  интеллектуальной  собственности с
учетом обеспечения требований Всемирной торговой организации.

           IV. Обоснование ресурсного обеспечения Программы

     Расходы  на  реализацию  мероприятий  Программы составляют 187000
млн. рублей, в том числе:
     за  счет  средств  федерального  бюджета - 110000 млн. рублей, из
них:
     на  научно-исследовательские  и  опытно-конструкторские  работы -
66000 млн. рублей;
     на капитальные вложения - 44000 млн. рублей;
     за счет средств внебюджетных источников - 77000 млн. рублей.
     Ресурсное   обеспечение   Программы  предусматривает  привлечение
средств федерального бюджета и внебюджетных источников.
     Объем       финансирования       научно-исследовательских       и
опытно-конструкторских  работ  по  всем направлениям Программы за счет
внебюджетных источников составляет не менее 33000 млн. рублей.
     Средствами  внебюджетных источников являются средства организаций
-  исполнителей работ и привлеченные средства (кредиты банков, заемные
средства,  средства  потенциальных потребителей технологий и средства,
полученные от эмиссии акций).
     Капитальные   вложения   направляются   на  создание  и  освоение
перспективных   технологических   процессов  изготовления  электронной
компонентной  базы и радиоэлектронной аппаратуры, развитие производств
нового  технологического уровня, обеспечивающих ускоренное наращивание
объемов  производства  конкурентоспособной  продукции.  Для реализации
проектов,   связанных   с   техническим  перевооружением,  организации
привлекают  внебюджетные средства в объеме государственных капитальных
вложений.  Замещение средств внебюджетных источников, привлекаемых для
выполнения  научно-исследовательских  и опытно-конструкторских работ и
работ  по  реконструкции  и  техническому  перевооружению организаций,
средствами федерального бюджета не допускается.
     Распределение объемов финансирования за счет средств федерального
бюджета по государственным заказчикам Программы приведено в приложении
N 3.
     Объемы  финансирования  Программы  за  счет  средств федерального
бюджета и внебюджетных источников приведены в приложении N 4.

                   V. Механизм реализации Программы

     С учетом сложившейся структуры федеральных органов исполнительной
власти    и    общепромышленного    значения    выполнения   Программы
государственным   заказчиком   -  координатором  Программы  определено
Министерство  промышленности  и  энергетики  Российской  Федерации,  а
государственными    заказчиками    -    Федеральное    агентство    по
промышленности,  Федеральное агентство по атомной энергии, Федеральное
космическое  агентство,  Федеральное агентство по науке и инновациям и
Федеральное агентство по образованию.
     Управление   реализацией   Программы,  а  также  контроль  за  ее
выполнением  будет  осуществлять  государственный заказчик Программы -
Федеральное агентство по промышленности.
     Программа  имеет  межотраслевой  характер  и  отвечает  интересам
развития   большинства   отраслей   промышленности,   производящих   и
потребляющих высокотехнологичную наукоемкую продукцию.
     Управление   реализацией   Программы   будет   осуществляться   в
соответствии  с  порядком  разработки и реализации федеральных целевых
программ   и  межгосударственных  целевых  программ,  в  осуществлении
которых  участвует  Российская  Федерация, утвержденным Постановлением
Правительства  Российской  Федерации  от  26  июня  1995  г.  N 594, и
положением    об   управлении   реализацией   программ,   утверждаемым
Министерством промышленности и энергетики Российской Федерации.
     Для   осуществления   контроля  за  выполнением  работ  создается
научно-технический координационный совет, в состав которого включаются
ведущие ученые и специалисты страны в области электронной компонентной
базы  и  радиоэлектроники,  представители  государственных  заказчиков
Программы,    а   также   организаций   промышленности,   использующих
разрабатываемые  в  рамках  Программы  изделия  электронной  техники и
технологии    для   создания   и   производства   радиоэлектронных   и
радиотехнических систем.
     Координационный   совет   будет   вырабатывать   рекомендации  по
планируемым научно-исследовательским и опытно-конструкторским работам,
а также проводить экспертную оценку инвестиционных проектов.
     Для  осуществления  текущего  контроля  и анализа хода выполнения
работ  в  рамках  Программы,  подготовки  материалов и рекомендаций по
управлению    реализацией   Программы   создается   автоматизированная
информационно-аналитическая система.
     Головные    исполнители   (исполнители)   мероприятий   Программы
определяются в соответствии с законодательством Российской Федерации.
     Головные  исполнители в соответствии с государственным контрактом
обеспечивают   выполнение   проектов,   необходимых   для   реализации
мероприятий Программы, организуют деятельность соисполнителей.
     Федеральное  агентство по промышленности, Федеральное космическое
агентство,  Федеральное  агентство  по  атомной  энергии,  Федеральное
агентство по науке и инновациям и Федеральное агентство по образованию
ежегодно  представляют  в  Министерство  промышленности  и  энергетики
Российской   Федерации   отчеты  о  результатах  выполнения  работ  за
прошедший  год  и предложения по формированию плана работ на следующий
год.
     Министерство  промышленности  и энергетики Российской Федерации в
установленном   порядке  представляет  в  Министерство  экономического
развития  и  торговли  Российской  Федерации  и  Министерство финансов
Российской  Федерации  отчет о выполнении годовых планов и Программы в
целом,  подготавливает  и  согласовывает предложения по финансированию
Программы в предстоящем году.

          VI. Оценка социально-экономической и экологической
                       эффективности Программы

     За   начальный   год   расчетного  периода  принимается  1-й  год
осуществления инвестиций - 2008 год.
     Конечным  годом расчетного периода считается год полного освоения
в  серийном  производстве  разработанной за время реализации Программы
продукции на созданных в этот период мощностях.
     С   учетом   того   что   обновление  производственных  мощностей
осуществляется   в   течение   всего   срока  реализации  Программы  и
завершается  в  2015  году,  а  нормативный  срок  освоения  введенных
мощностей  составляет  1,5 - 2 года, конечным годом расчетного периода
принят 2017 год.
     Экономическая  эффективность реализации Программы характеризуется
следующими показателями:
     налоги,  поступающие  в  бюджет  и внебюджетные фонды, - 198577,2
млн. рублей;
     чистый дисконтированный доход - 64374,4 млн. рублей;
     бюджетный эффект - 125045,9 млн. рублей.
     Индекс доходности (рентабельность) составит:
     для всех инвестиций - 1,52;
     для бюджетных ассигнований - 2,7.
     Уровень   безубыточности   равен   0,68   при   норме   0,7,  что
свидетельствует  об эффективности и устойчивости Программы к возможным
изменениям условий ее реализации.
     Расчет    показателей    социально-экономической    эффективности
реализации  Программы  приведен  в  приложении  N  5.  Методика оценки
социально-экономической эффективности реализации Программы приведена в
приложении N 6.
     Социальная   эффективность   реализации   Программы   обусловлена
количеством  создаваемых  рабочих  мест  (6500  -  7000  мест  на дату
завершения     Программы),    а    также    существенным    повышением
технологического  уровня  новой электронной компонентной базы, который
обеспечит   снижение  трудовых  затрат  на  создание  радиоэлектронной
аппаратуры   нового   класса  и  систем  и  улучшение  условий  труда.
Разработка  электронной  компонентной  базы  нового  класса  и изделий
радиоэлектроники  обеспечит создание широкой номенклатуры аппаратуры и
систем для технического обеспечения решения государственных социальных
программ.
     Экологическая эффективность реализации Программы выражается:
     в   разработке   и   освоении   экологически   чистых  технологий
производства  электронной компонентной базы и изделий радиоэлектроники
в процессе их производства;
     в   создании   новых   видов   химической   обработки   на   базе
плазмохимических процессов, позволяющих исключить использование кислот
и  органических  растворителей, а также экологически чистых технологий
нанесения электролитических покрытий по замкнутому циклу, утилизации и
нейтрализации отходов непосредственно в технологическом цикле;
     в   применении   технологий   бессвинцовой   сборки   и   монтажа
радиоэлектронной     аппаратуры,    полупроводниковых    приборов    и
специализированных больших интегрированных схем;
     в  использовании высокоэффективных методов подготовки чистых сред
и   сверхчистых   реактивов  в  замкнутых  циклах,  применении  систем
экологического  мониторинга  окружающей  территории  для  производства
электронной  компонентной  базы и изделий радиоэлектроники, кластерных
технологических систем обработки структур и приборов в технологических
объемах   малой   величины   с   непосредственной   подачей  реагентов
контролируемого минимального количества;
     в разработке технологий утилизации электронной компонентной базы,
радиоэлектронной    аппаратуры   в   рамках   развиваемых   технологий
поддержания жизненного цикла.
     Новые  виды  электронной  компонентной базы (высокочувствительные
датчики,  сенсоры)  и  радиоэлектронной аппаратуры контроля и охранных
систем, а также аппаратура, созданная на их основе, будут использованы
при  создании  более  эффективных  систем  экологического  контроля  и
мониторинга, раннего предупреждения аварий и техногенных катастроф.
     Радиоэлектронная   промышленность   является  самой  экологически
чистой  отраслью  экономики,  и  положительные  результаты, полученные
вследствие  улучшения  экологической  обстановки при совершенствовании
производства электронной компонентной базы и изделий радиоэлектроники,
могут  использоваться  в  других  отраслях  (методы  ультрафильтрации,
технологии  улавливания  и нейтрализации вредных веществ, обработки по
замкнутым  циклам, получения сверхчистой воды и сверхчистых реактивов,
экологически чистые методы утилизации отработанной аппаратуры).


                                                        Приложение N 1

                                       к федеральной целевой программе
                                    "Развитие электронной компонентной
                                              базы и радиоэлектроники"
                                                   на 2008 - 2015 годы

                        ИНДИКАТОР И ПОКАЗАТЕЛИ
         РЕАЛИЗАЦИИ МЕРОПРИЯТИЙ ФЕДЕРАЛЬНОЙ ЦЕЛЕВОЙ ПРОГРАММЫ
     "РАЗВИТИЕ ЭЛЕКТРОННОЙ КОМПОНЕНТНОЙ БАЗЫ И РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ"
                         НА 2008 - 2015 ГОДЫ

---------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------
|                                 |    Единица   |  2007 год  | 2008 год  | 2009 год |  2010 год |  2011 год  | 2015 год  |
|                                 |   измерения  |            |           |          |           |            |           |
|-------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------|
| Индикатор                                                                                                               |
|-------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------|
| Достигаемый технологический     |      мкм     |    0,18    |   0,18    |   0,13   |    0,13   | 0,1 - 0,09 |  0,045    |
| уровень электроники             |              |            |           |          |           |            |           |
|-------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------|
| Показатели                                                                                                              |
|-------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------|
| Увеличение объемов продаж       | млрд. рублей |     19     |    58     |    70    |     95    |    130     |   300     |
| изделий электронной и           |              |            |           |          |           |            |           |
| радиоэлектронной техники        |              |            |           |          |           |            |           |
|---------------------------------|--------------|------------|-----------|----------|-----------|------------|-----------|
| Количество разработанных        |       -      |    3 - 5   |  16 - 20  |  80 - 90 | 125 - 135 | 179 - 185  |260 - 270  |
| базовых технологий в области    |              |            |           |          |           |            |           |
| электронной компонентной базы и |              |            |           |          |           |            |           |
| радиоэлектроники (нарастающим   |              |            |           |          |           |            |           |
| итогом)                         |              |            |           |          |           |            |           |
|---------------------------------|--------------|------------|-----------|----------|-----------|------------|-----------|
| Количество завершенных и        |       -      |      -     |     6     |     8    |     14    |     27     |    35     |
| разрабатываемых проектов        |              |            |           |          |           |            |           |
| базовых центров проектирования  |              |            |           |          |           |            |           |
| функционально сложной           |              |            |           |          |           |            |           |
| электронной компонентной базы в |              |            |           |          |           |            |           |
| организациях электронной        |              |            |           |          |           |            |           |
| промышленности Роспрома, в том  |              |            |           |          |           |            |           |
| числе сверхбольших интегральных |              |            |           |          |           |            |           |
| схем "система на кристалле"     |              |            |           |          |           |            |           |
| (нарастающим итогом)            |              |            |           |          |           |            |           |
|---------------------------------|--------------|------------|-----------|----------|-----------|------------|-----------|
| Количество объектов             |       -      |     -      |     2     |     2    |     2     |     4      |    7      |
| реконструкции и технического    |              |            |           |          |           |            |           |
| перевооружения производств для  |              |            |           |          |           |            |           |
| создания базовых центров        |              |            |           |          |           |            |           |
| системного проектирования в     |              |            |           |          |           |            |           |
| организациях приборостроения и  |              |            |           |          |           |            |           |
| промышленности средств связи    |              |            |           |          |           |            |           |
| Роспрома (нарастающим итогом)   |              |            |           |          |           |            |           |
|---------------------------------|--------------|------------|-----------|----------|-----------|------------|-----------|
| Количество объектов             |       -      |     -      |     -     |     -    |     -     |     1      |    4      |
| реконструкции и технического    |              |            |           |          |           |            |           |
| перевооружения производств для  |              |            |           |          |           |            |           |
| создания базовых центров        |              |            |           |          |           |            |           |
| системного проектирования в     |              |            |           |          |           |            |           |
| организациях Росатома,          |              |            |           |          |           |            |           |
| производящих продукцию в        |              |            |           |          |           |            |           |
| интересах радиоэлектронного     |              |            |           |          |           |            |           |
| комплекса (нарастающим итогом)  |              |            |           |          |           |            |           |
|---------------------------------|--------------|------------|-----------|----------|-----------|------------|-----------|
| Количество объектов             |       -      |     -      |     -     |     -    |     -     |     -      |    11     |
| реконструкции и технического    |              |            |           |          |           |            |           |
| перевооружения производств для  |              |            |           |          |           |            |           |
| создания базовых центров        |              |            |           |          |           |            |           |
| системного проектирования в     |              |            |           |          |           |            |           |
| организациях Роскосмоса,        |              |            |           |          |           |            |           |
| производящих продукцию в        |              |            |           |          |           |            |           |
| интересах радиоэлектронного     |              |            |           |          |           |            |           |
| комплекса (нарастающим итогом)  |              |            |           |          |           |            |           |
|---------------------------------|--------------|------------|-----------|----------|-----------|------------|-----------|
| Количество объектов             |       -      |     -      |     1     |     1    |     2     |     2      |    7      |
| реконструкции и технического    |              |            |           |          |           |            |           |
| перевооружения производств для  |              |            |           |          |           |            |           |
| создания базовых центров        |              |            |           |          |           |            |           |
| системного проектирования в     |              |            |           |          |           |            |           |
| организациях Рособразования,    |              |            |           |          |           |            |           |
| производящих продукцию в        |              |            |           |          |           |            |           |
| интересах радиоэлектронного     |              |            |           |          |           |            |           |
| комплекса (нарастающим итогом)  |              |            |           |          |           |            |           |
|---------------------------------|--------------|------------|-----------|----------|-----------|------------|-----------|
| Количество объектов             |       -      |     1      |     1     |     5    |     10    |     23     |    89     |
| технологического перевооружения |              |            |           |          |           |            |           |
| электронных производств на      |              |            |           |          |           |            |           |
| основе передовых технологий в   |              |            |           |          |           |            |           |
| организациях электронной        |              |            |           |          |           |            |           |
| промышленности (нарастающим     |              |            |           |          |           |            |           |
| итогом)                         |              |            |           |          |           |            |           |
|---------------------------------|--------------|------------|-----------|----------|-----------|------------|-----------|
| Количество объектов             |       -      |     -      |     -     |     -    |     -     |     -      |    11     |
| реконструкции и технического    |              |            |           |          |           |            |           |
| перевооружения радиоэлектронных |              |            |           |          |           |            |           |
| производств в организациях      |              |            |           |          |           |            |           |
| приборостроения и               |              |            |           |          |           |            |           |
| промышленности средств связи    |              |            |           |          |           |            |           |
| Роспрома (нарастающим итогом)   |              |            |           |          |           |            |           |
|---------------------------------|--------------|------------|-----------|----------|-----------|------------|-----------|
| Количество объектов             |       -      |     -      |     -     |     -    |     -     |     1      |    9      |
| реконструкции и технического    |              |            |           |          |           |            |           |
| перевооружения радиоэлектронных |              |            |           |          |           |            |           |
| производств в организациях      |              |            |           |          |           |            |           |
| Росатома, производящих          |              |            |           |          |           |            |           |
| продукцию в интересах           |              |            |           |          |           |            |           |
| радиоэлектронного комплекса     |              |            |           |          |           |            |           |
| (нарастающим итогом)            |              |            |           |          |           |            |           |
|---------------------------------|--------------|------------|-----------|----------|-----------|------------|-----------|
| Количество объектов             |       -      |     -      |     -     |     -    |     -     |     -      |    8      |
| реконструкции и технического    |              |            |           |          |           |            |           |
| перевооружения радиоэлектронных |              |            |           |          |           |            |           |
| производств в организациях      |              |            |           |          |           |            |           |
| Роскосмоса, производящих        |              |            |           |          |           |            |           |
| продукцию в интересах           |              |            |           |          |           |            |           |
| радиоэлектронного комплекса     |              |            |           |          |           |            |           |
| (нарастающим итогом)            |              |            |           |          |           |            |           |
|---------------------------------|--------------|------------|-----------|----------|-----------|------------|-----------|
| Количество завершенных          |       -      |     1      |     3     |     9    |  15 - 17  |  18 - 21   | 32 - 37   |
| поисковых технологических       |              |            |           |          |           |            |           |
| научно-исследовательских работ  |              |            |           |          |           |            |           |
| (нарастающим итогом)            |              |            |           |          |           |            |           |
|---------------------------------|--------------|------------|-----------|----------|-----------|------------|-----------|
| Количество реализованных        |       -      |     4      |  11 - 12  |  16 - 20 |  22 - 25  |  36 - 40   | 55 - 60   |
| мероприятий по созданию         |              |            |           |          |           |            |           |
| электронной компонентной базы,  |              |            |           |          |           |            |           |
| соответствующей мировому уровню |              |            |           |          |           |            |           |
| (типов, классов новой           |              |            |           |          |           |            |           |
| электронной компонентной базы)  |              |            |           |          |           |            |           |
| (нарастающим итогом)            |              |            |           |          |           |            |           |
|---------------------------------|--------------|------------|-----------|----------|-----------|------------|-----------|
| Количество создаваемых рабочих  |       -      |    450     |  1020 -   |  1800 -  |   3000 -  |   3800 -   |  5000 -   |
| мест (нарастающим итогом)       |              |            |   1050    |   2200   |    3800   |    4100    |   6000    |
---------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------


                                                        Приложение N 2

                                       к федеральной целевой программе
                                    "Развитие электронной компонентной
                                              базы и радиоэлектроники"
                                                   на 2008 - 2015 годы

                               ПЕРЕЧЕНЬ
         МЕРОПРИЯТИЙ ФЕДЕРАЛЬНОЙ ЦЕЛЕВОЙ ПРОГРАММЫ "РАЗВИТИЕ
          ЭЛЕКТРОННОЙ КОМПОНЕНТНОЙ БАЗЫ И РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ"
                         НА 2008 - 2015 ГОДЫ

                            (млн. рублей, в ценах соответствующих лет)
------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------
|           Мероприятия           | 2008 - 2015 |              В том числе                  |      Ожидаемые результаты                  |
|                                 |годы - всего |-------------------------------------------|                                            |
|                                 |             | 2008  | 2009  | 2010  | 2011  |2012 - 2015|                                            |
|                                 |             |  год  | год   | год   | год   |   годы    |                                            |
|----------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------|
|                                    I. Научно-исследовательские и опытно-конструкторские работы                                         |
|----------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------|
|                                          Направление 1. Сверхвысокочастотная электроника                                               |
|----------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------|
|   1. Разработка технологии      |     207     |  147  |  60   |       |       |           | создание базовой технологии производства   |
|      производства мощных        |     ---     |  ---  | ---   |       |       |           | мощных сверхвысокочастотных транзисторов   |
|      сверхвысокочастотных       |     138     |  98   |  40   |       |       |           | на основе гетероструктур материалов        |
|      транзисторов на основе     |             |       |       |       |       |           | группы A B  для бортовой и наземной        |
|      гетероструктур материалов  |             |       |       |       |       |           |         3 5                                |
|      группы A B                 |             |       |       |       |       |           | аппаратуры (2009 год), разработка          |
|              3 5                |             |       |       |       |       |           | комплектов документации в стандартах       |
|                                 |             |       |       |       |       |           | единой системы конструкторской,            |
|                                 |             |       |       |       |       |           | технологической и производственной         |
|                                 |             |       |       |       |       |           | документации, ввод в эксплуатацию          |
|                                 |             |       |       |       |       |           | производственной линии                     |
|---------------------------------|-------------|-------|-------|-------|-------|-----------|--------------------------------------------|
|   2. Разработка базовой         |     265     |       |  60   | 120   |  85   |           | создание базовой технологии производства   |
|      технологии производства    |     ---     |       |  --   | ---   |  --   |           | монолитных сверхвысокочастотных микросхем  |
|      монолитных                 |     175     |       |  40   |  79   |  56   |           | и объемных приемо-передающих               |
|      сверхвысокочастотных       |             |       |       |       |       |           | сверхвысокочастотных субмодулей X-         |
|      микросхем и объемных       |             |       |       |       |       |           | диапазона на основе гетероструктур         |
|      приемо-передающих          |             |       |       |       |       |           | материалов группы A B  для бортовой и      |
|      сверхвысокочастотных       |             |       |       |       |       |           |                    3 5                     |
|      субмодулей X-диапазона     |             |       |       |       |       |           | наземной аппаратуры радиолокации, средств  |
|                                 |             |       |       |       |       |           | связи (2011 год), разработка комплектов    |
|                                 |             |       |       |       |       |           | документации в стандартах единой системы   |
|                                 |             |       |       |       |       |           | конструкторской, производственной          |
|                                 |             |       |       |       |       |           | документации, ввод в эксплуатацию          |
|                                 |             |       |       |       |       |           | производственной линии                     |
|---------------------------------|-------------|-------|-------|-------|-------|-----------|--------------------------------------------|
|   3. Разработка базовой         |     314     |  214  | 100   |       |       |           | создание технологии производства мощных    |
|      технологии производства    |     ---     |  ---  | ---   |       |       |           | транзисторов сверхвысокочастотного         |
|      мощных сверх-              |     210     |  143  |  67   |       |       |           | диапазона на основе нитридных              |
|      высокочастотных            |             |       |       |       |       |           | гетероэпитаксиальных структур для техники  |
|      полупроводниковых приборов |             |       |       |       |       |           | связи, радиолокации (2009 год)             |
|      на основе нитридных        |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      гетеро-эпитаксиальных      |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      структур                   |             |       |       |       |       |           |                                            |
|---------------------------------|-------------|-------|-------|-------|-------|-----------|--------------------------------------------|
|   4. Разработка базовой         |     770     |       | 136   | 337   | 297   |           | создание технологии производства на        |
|      технологии и библиотеки    |     ---     |       | ---   | ---   | ---   |           | основе нитридных гетероэпитаксиальных      |
|      элементов для              |     512     |       |  90   | 225   | 197   |           | структур мощных сверхвысокочастотных       |
|      проектирования и           |             |       |       |       |       |           | монолитных интегральных схем с рабочими    |
|      производства монолитных    |             |       |       |       |       |           | частотами до 20 ГГц для техники связи,     |
|      интегральных схем          |             |       |       |       |       |           | радиолокации (2011 год), разработка        |
|      сверхвысокочастотного      |             |       |       |       |       |           | комплектов документации в стандартах       |
|      диапазона на основе        |             |       |       |       |       |           | единой системы конструкторской,            |
|      нитридных                  |             |       |       |       |       |           | технологической и производственной         |
|      гетероэпитаксиальных       |             |       |       |       |       |           | документации, ввод в эксплуатацию          |
|      структур                   |             |       |       |       |       |           | производственной линии                     |
|---------------------------------|-------------|-------|-------|-------|-------|-----------|--------------------------------------------|
|   5. Разработка базовой         |     237     |  166  |  71   |       |       |           | создание базовой технологии производства   |
|      технологии производства    |     ---     |  ---  |  --   |       |       |           | компонентов для сверхвысокочастотных       |
|      сверхвысокочастотных       |     151     |  111  |  40   |       |       |           | интегральных схем диапазона 2 - 12 ГГц с   |
|      компонентов и              |             |       |       |       |       |           | высокой степенью интеграции для            |
|      сложнофункциональных       |             |       |       |       |       |           | аппаратуры радиолокации и связи бортового  |
|      блоков для                 |             |       |       |       |       |           | и наземного применения, а также бытовой и  |
|      сверхвысокочастотных       |             |       |       |       |       |           | автомобильной электроники (2009 год),      |
|      интегральных схем высокой  |             |       |       |       |       |           | разработка комплектов документации в       |
|      степени интеграции на      |             |       |       |       |       |           | стандартах единой системы                  |
|      основе гетероструктур      |             |       |       |       |       |           | конструкторской, технологической и         |
|      "кремний - германий"       |             |       |       |       |       |           | производственной документации, ввод в      |
|                                 |             |       |       |       |       |           | эксплуатацию производственной линии        |
|---------------------------------|-------------|-------|-------|-------|-------|-----------|--------------------------------------------|
|   6. Разработка базовой         |     532     |       | 100   | 246   | 186   |           | создание базовой технологии производства   |
|      технологии производства    |     ---     |       | ---   | ---   | ---   |           | сверхвысокочастотных интегральных схем     |
|      сверхвысокочастотных       |     352     |       |  64   | 164   | 124   |           | диапазона 2 - 12 ГГц с высокой степенью    |
|      интегральных схем высокой  |             |       |       |       |       |           | интеграции для аппаратуры радиолокации и   |
|      степени интеграции на      |             |       |       |       |       |           | связи бортового и наземного применения, а  |
|      основе гетероструктур      |             |       |       |       |       |           | также бытовой и автомобильной электроники  |
|      "кремний - германий"       |             |       |       |       |       |           | (2011 год), разработка комплектов          |
|                                 |             |       |       |       |       |           | документации в стандартах единой системы   |
|                                 |             |       |       |       |       |           | конструкторской, технологической и         |
|                                 |             |       |       |       |       |           | производственной документации, ввод в      |
|                                 |             |       |       |       |       |           | эксплуатацию производственной линии        |
|---------------------------------|-------------|-------|-------|-------|-------|-----------|--------------------------------------------|
|   7. Разработка аттестованных   |     111     |  76   |  35   |       |       |           | разработка аттестованных библиотек         |
|      библиотек                  |     ---     |  ---  |  --   |       |       |           | сложнофункциональных блоков для            |
|      сложнофункциональных       |     81      |  51   |  30   |       |       |           | проектирования широкого спектра            |
|      блоков для проектирования  |             |       |       |       |       |           | сверхвысокочастотных интегральных схем на  |
|      сверхвысокочастотных и     |             |       |       |       |       |           | SiGe с рабочими частотами до 150 ГГц,      |
|      радиочастотных             |             |       |       |       |       |           | разработка комплектов документации в       |
|      интегральных               |             |       |       |       |       |           | стандартах единой системы                  |
|      схем на основе             |             |       |       |       |       |           | конструкторской, технологической и         |
|      гетероструктур "кремний -  |             |       |       |       |       |           | производственной документации,             |
|      германий"                  |             |       |       |       |       |           | ввод в эксплуатацию производственной       |
|                                 |             |       |       |       |       |           | линии                                      |
|---------------------------------|-------------|-------|-------|-------|-------|-----------|--------------------------------------------|
|   8. Разработка базовых         |     207     |       |  40   | 100   |  67   |           | создание базовых технологий                |
|      технологий проектирования  |     ---     |       |  --   | ---   |  --   |           | проектирования на основе библиотеки        |
|      кремний-германиевых        |     142     |       |  30   |  67   |  45   |           | сложнофункциональных блоков широкого       |
|      сверхвысокочастотных и     |             |       |       |       |       |           | спектра сверхвысокочастотных интегральных  |
|      радиочастотных             |             |       |       |       |       |           | схем на SiGe с рабочими частотами до 150   |
|      интегральных схем на       |             |       |       |       |       |           | ГГц (2011 год), разработка комплектов      |
|      основе аттестованной       |             |       |       |       |       |           | документации в стандартах единой системы   |
|      библиотеки                 |             |       |       |       |       |           | конструкторской, технологической и         |
|      сложнофункциональных       |             |       |       |       |       |           | производственной документации, ввод в      |
|      блоков                     |             |       |       |       |       |           | эксплуатацию производственной линии        |
|---------------------------------|-------------|-------|-------|-------|-------|-----------|--------------------------------------------|
|   9. Разработка базовых         |     120     |  60   |  60   |       |       |           | создание базовых технологий производства   |
|      технологий производства    |     ---     |  --   |  --   |       |       |           | элементной базы для высокоплотных          |
|      элементной базы для ряда   |     80      |  40   |  40   |       |       |           | источников вторичного электропитания       |
|      силовых герметичных        |             |       |       |       |       |           | сверхвысокочастотных приборов и узлов      |
|      модулей высокоплотных      |             |       |       |       |       |           | аппаратуры (2009 год), разработка          |
|      источников вторичного      |             |       |       |       |       |           | комплектов документации в стандартах       |
|      электропитания вакуумных и |             |       |       |       |       |           | единой системы конструкторской,            |
|      твердотельных              |             |       |       |       |       |           | технологической и производственной         |
|      сверхвысокочастотных       |             |       |       |       |       |           | документации, ввод в эксплуатацию          |
|      приборов и узлов           |             |       |       |       |       |           | производственной линии                     |
|      аппаратуры                 |             |       |       |       |       |           |                                            |
|---------------------------------|-------------|-------|-------|-------|-------|-----------|--------------------------------------------|
|  10. Разработка базовых         |     153     |       |       |  89   |  64   |           | создание базовых конструкций и             |
|      технологий производства    |     ---     |       |       |  --   |  --   |           | технологии производства                    |
|      ряда силовых герметичных   |     102     |       |       |  60   |  42   |           | высокоэффективных, высокоплотных           |
|      модулей высокоплотных      |             |       |       |       |       |           | источников вторичного электропитания       |
|      источников вторичного      |             |       |       |       |       |           | сверхвысокочастотных приборов и узлов      |
|      электропитания вакуумных   |             |       |       |       |       |           | аппаратуры на основе гибридно-пленочной    |
|      и твердотельных            |             |       |       |       |       |           | технологии с применением бескорпусной      |
|      сверхвысокочастотных       |             |       |       |       |       |           | элементной базы (2011 год), разработка     |
|      приборов и узлов           |             |       |       |       |       |           | комплектов документации в стандартах       |
|      аппаратуры                 |             |       |       |       |       |           | единой системы конструкторской,            |
|                                 |             |       |       |       |       |           | технологической и производственной         |
|                                 |             |       |       |       |       |           | документации, ввод в эксплуатацию          |
|                                 |             |       |       |       |       |           | производственной линии                     |
|---------------------------------|-------------|-------|-------|-------|-------|-----------|--------------------------------------------|
|  11. Разработка базовых         |     124     |  74   |  50   |       |       |           | создание технологии массового              |
|      конструкций и технологии   |     ---     |  --   |  --   |       |       |           | производства ряда корпусов мощных          |
|      производства корпусов      |     85      |  52   |  33   |       |       |           | сверхвысокочастотных приборов для          |
|      мощных                     |             |       |       |       |       |           | "бессвинцовой" сборки (2009 год),          |
|      сверхвысокочастотных       |             |       |       |       |       |           | разработка комплектов документации в       |
|      транзисторов X-, C-, S-,   |             |       |       |       |       |           | стандартах единой системы                  |
|      L- и P-диапазонов из       |             |       |       |       |       |           | конструкторской, технологической и         |
|      малотоксичных материалов с |             |       |       |       |       |           | производственной документации, ввод в      |
|      высокой теплопроводностью  |             |       |       |       |       |           | эксплуатацию производственной линии        |
|---------------------------------|-------------|-------|-------|-------|-------|-----------|--------------------------------------------|
|  12. Разработка базовых         |     150     |       |  45   |  60   |  45   |           | создание базовых конструктивных рядов      |
|      конструкций                |     ---     |       |  --   |  --   |  --   |           | элементов систем охлаждения аппаратуры     |
|      теплоотводящих элементов   |     97      |       |  30   |  40   |  27   |           | X- и C-диапазонов наземных, корабельных    |
|      систем охлаждения          |             |       |       |       |       |           | и воздушно-космических комплексов          |
|      сверхвысокочастотных       |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      приборов X- и C-           |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      диапазонов на основе       |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      новых материалов           |             |       |       |       |       |           |                                            |
|---------------------------------|-------------|-------|-------|-------|-------|-----------|--------------------------------------------|
|  13. Разработка базовой         |     93      |       |       |  60   |  33   |           | создание технологии массового              |
|      технологии производства    |     --      |       |       |  --   |  --   |           | производства конструктивного ряда          |
|      теплоотводящих элементов   |     62      |       |       |  32   |  30   |           | элементов систем охлаждения аппаратуры     |
|      систем охлаждения          |             |       |       |       |       |           | X- и C-диапазонов наземных, корабельных    |
|      сверхвысокочастотных       |             |       |       |       |       |           | и воздушно-космических комплексов (2011    |
|      приборов X- и C-           |             |       |       |       |       |           | год), разработка комплектов документации   |
|      диапазонов на основе       |             |       |       |       |       |           | в стандартах единой системы                |
|      новых материалов           |             |       |       |       |       |           | конструкторской, технологической и         |
|                                 |             |       |       |       |       |           | производственной документации, ввод в      |
|                                 |             |       |       |       |       |           | эксплуатацию производственной линии        |
|---------------------------------|-------------|-------|-------|-------|-------|-----------|--------------------------------------------|
|  14. Разработка базовых         |     96      |  53   |  43   |       |       |           | создание технологии массового              |
|      технологий производства    |     --      |  --   |  --   |       |       |           | производства конструктивного ряда          |
|      суперлинейных кремниевых   |     62      |  35   |  27   |       |       |           | сверхвысокочастотных транзисторов S- и     |
|      сверхвысокочастотных       |             |       |       |       |       |           | L-диапазонов для техники связи, локации    |
|      транзисторов S- и L-       |             |       |       |       |       |           | и контрольной аппаратуры (2009 год),       |
|      диапазонов                 |             |       |       |       |       |           | разработка комплектов документации в       |
|                                 |             |       |       |       |       |           | стандартах единой системы                  |
|                                 |             |       |       |       |       |           | конструкторской, технологической и         |
|                                 |             |       |       |       |       |           | производственной документации, ввод в      |
|                                 |             |       |       |       |       |           | эксплуатацию производственной линии        |
|---------------------------------|-------------|-------|-------|-------|-------|-----------|--------------------------------------------|
|  15. Разработка конструктивно-  |     170     |       |       |  95   |  75   |           | создание конструктивно-параметрического    |
|      параметрического ряда      |     ---     |       |       |  --   |  --   |           | ряда сверхвысокочастотных транзисторов     |
|      суперлинейных              |     116     |       |       |  70   |  46   |           | S- и L-диапазонов для техники связи,       |
|      кремниевых                 |             |       |       |       |       |           | локации и контрольной аппаратуры,          |
|      сверхвысокочастотных       |             |       |       |       |       |           | разработка комплектов документации в       |
|      транзисторов S- и L-       |             |       |       |       |       |           | стандартах единой системы                  |
|      диапазонов                 |             |       |       |       |       |           | конструкторской, технологической и         |
|                                 |             |       |       |       |       |           | производственной документации, ввод в      |
|                                 |             |       |       |       |       |           | эксплуатацию производственной линии        |
|---------------------------------|-------------|-------|-------|-------|-------|-----------|--------------------------------------------|
|  16. Разработка технологии      |     87      |  45   |  42   |       |       |           | разработка метрологической аппаратуры      |
|      измерений и базовых        |     --      |  --   |  --   |       |       |           | нового поколения для исследования и        |
|      конструкций установок      |     57      |  27   |  30   |       |       |           | контроля параметров полупроводниковых      |
|      автоматизированного        |             |       |       |       |       |           | структур, активных элементов и             |
|      измерения параметров       |             |       |       |       |       |           | сверхвысокочастотных монолитных            |
|      нелинейных моделей         |             |       |       |       |       |           | интегральных схем в производстве и при     |
|      сверхвысокочастотных       |             |       |       |       |       |           | их использовании                           |
|      полупроводниковых          |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      структур, мощных           |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      транзисторов и             |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      сверхвысокочастотных       |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      монолитных интегральных    |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      схем X-, C-, S-, L- и      |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      P-диапазонов для их        |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      массового производства     |             |       |       |       |       |           |                                            |
|---------------------------------|-------------|-------|-------|-------|-------|-----------|--------------------------------------------|
|  17. Исследование и разработка  |     104     |  54   |  50   |       |       |           | создание технологии унифицированных        |
|      базовых технологий для     |     ---     |  --   |  --   |       |       |           | сверхширокополосных приборов среднего и    |
|      создания нового поколения  |     69      |  36   |  33   |       |       |           | большого уровня мощности сантиметрового    |
|      мощных вакуумно-           |             |       |       |       |       |           | диапазона длин волн и                      |
|      твердотельных              |             |       |       |       |       |           | сверхвысокочастотных                       |
|      сверхвысокочастотных       |             |       |       |       |       |           | магнитоэлектрических приборов для          |
|      приборов и гибридных       |             |       |       |       |       |           | перспективных радиоэлектронных систем и    |
|      малогабаритных             |             |       |       |       |       |           | аппаратуры связи космического              |
|      сверхвысокочастотных       |             |       |       |       |       |           | базирования (2009 год), разработка         |
|      модулей с улучшенными      |             |       |       |       |       |           | комплектов документации в стандартах       |
|      массогабаритными           |             |       |       |       |       |           | единой системы конструкторской,            |
|      характеристиками,          |             |       |       |       |       |           | технологической и производственной         |
|      магнитоэлектрических       |             |       |       |       |       |           | документации, ввод в эксплуатацию          |
|      приборов                   |             |       |       |       |       |           | производственной линии                     |
|      сверхвысокочастотного      |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      диапазона, в том числе     |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      циркуляторов и             |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      фазовращателей, вентилей,  |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      высокодобротных            |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      резонаторов,               |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      перестраиваемых фильтров,  |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      микроволновых приборов со  |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      спиновым управлением для   |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      перспективных              |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      радиоэлектронных систем    |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      двойного назначения        |             |       |       |       |       |           |                                            |
|---------------------------------|-------------|-------|-------|-------|-------|-----------|--------------------------------------------|
|  18. Разработка базовых         |     141     |       |       |  89   |  52   |           | разработка конструктивных рядов и          |
|      конструкций и технологии   |     ---     |       |       |  --   |  --   |           | базовых технологий производства            |
|      производства нового        |     95      |       |       |  60   |  35   |           | сверхширокополосных приборов среднего и    |
|      поколения мощных           |             |       |       |       |       |           | большого уровня мощности сантиметрового    |
|      вакуумно-твердотельных     |             |       |       |       |       |           | диапазона длин волн и                      |
|      сверхвысокочастотных       |             |       |       |       |       |           | сверхвысокочастотных                       |
|      приборов и гибридных       |             |       |       |       |       |           | магнитоэлектрических приборов для          |
|      малогабаритных             |             |       |       |       |       |           | перспективных радиоэлектронных систем и    |
|      сверхвысокочастотных       |             |       |       |       |       |           | аппаратуры связи космического              |
|      модулей с улучшенными      |             |       |       |       |       |           | базирования (2011 год), разработка         |
|      массогабаритными           |             |       |       |       |       |           | комплектов документации в стандартах       |
|      характеристиками,          |             |       |       |       |       |           | единой системы конструкторской,            |
|      магнитоэлектрических       |             |       |       |       |       |           | технологической и производственной         |
|      приборов                   |             |       |       |       |       |           | документации, ввод в эксплуатацию          |
|      сверхвысокочастотного      |             |       |       |       |       |           | производственной линии                     |
|      диапазона, в том числе     |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      циркуляторов и             |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      фазовращателей, вентилей,  |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      высокодобротных            |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      резонаторов,               |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      перестраиваемых фильтров,  |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      микроволновых приборов со  |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      спиновым управлением для   |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      перспективных              |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      радиоэлектронных систем    |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      двойного назначения        |             |       |       |       |       |           |                                            |
|---------------------------------|-------------|-------|-------|-------|-------|-----------|--------------------------------------------|
|  19. Исследование и разработка  |     85      |  45   |  40   |       |       |           | создание технологических процессов         |
|      процессов и базовых        |     --      |  --   |  --   |       |       |           | производства нанопленочных                 |
|      технологий нанопленочных   |     57      |  30   |  27   |       |       |           | малогабаритных сверхвысокочастотных        |
|      малогабаритных             |             |       |       |       |       |           | резисторно-индуктивно-емкостных матриц     |
|      сверхвысокочастотных       |             |       |       |       |       |           | многофункционального назначения для        |
|      резисторно-индуктивно-     |             |       |       |       |       |           | печатного монтажа (2008 год), создание     |
|      емкостных матриц           |             |       |       |       |       |           | базовой технологии получения               |
|      многофункционального       |             |       |       |       |       |           | сверхбыстродействующих (до 150 ГГц)        |
|      назначения для печатного   |             |       |       |       |       |           | приборов на наногетероструктурах с         |
|      монтажа и                  |             |       |       |       |       |           | квантовыми эффектами (2009 год),           |
|      сверхбыстродействующих     |             |       |       |       |       |           | разработка комплектов документации в       |
|      (до 150 ГГц) приборов на   |             |       |       |       |       |           | стандартах единой системы                  |
|      наногетероструктурах с     |             |       |       |       |       |           | конструкторской, технологической и         |
|      квантовыми дефектами       |             |       |       |       |       |           | производственной документации,             |
|                                 |             |       |       |       |       |           | ввод в эксплуатацию производственной       |
|                                 |             |       |       |       |       |           | линии                                      |
|---------------------------------|-------------|-------|-------|-------|-------|-----------|--------------------------------------------|
|  20. Разработка базовых         |     85      |       |       |  45   |  40   |           | создание конструктивных рядов и базовых    |
|      конструкций и технологии   |     --      |       |       |  --   |  --   |           | технологий производства нанопленочных      |
|      производства               |     57      |       |       |  30   |  27   |           | малогабаритных сверхвысокочастотных        |
|      нанопленочных              |             |       |       |       |       |           | резисторно-индуктивно-емкостных матриц     |
|      малогабаритных             |             |       |       |       |       |           | многофункционального назначения для        |
|      сверхвысокочастотных       |             |       |       |       |       |           | печатного монтажа (2011 год), разработка   |
|      резисторно-индуктивно-     |             |       |       |       |       |           | комплектов документации в стандартах       |
|      емкостных матриц           |             |       |       |       |       |           | единой системы конструкторской,            |
|      многофункционального       |             |       |       |       |       |           | технологической и производственной         |
|      назначения для печатного   |             |       |       |       |       |           | документации, ввод в эксплуатацию          |
|      монтажа                    |             |       |       |       |       |           | производственной линии                     |
|---------------------------------|-------------|-------|-------|-------|-------|-----------|--------------------------------------------|
|  21. Разработка базовой         |     156     |  86   |  70   |       |       |           | создание базовой технологии производства   |
|      технологии                 |     ---     |  --   |  --   |       |       |           | элементов и специальных элементов и        |
|      сверхвысокочастотных p-i-  |     104     |  57   |  47   |       |       |           | блоков портативной аппаратуры              |
|      n диодов, матриц, узлов    |             |       |       |       |       |           | миллиметрового диапазона длин волн для     |
|      управления и портативных   |             |       |       |       |       |           | нового поколения средств связи,            |
|      фазированных блоков        |             |       |       |       |       |           | радиолокационных станций,                  |
|      аппаратуры миллиметрового  |             |       |       |       |       |           | радионавигации, измерительной техники,     |
|      диапазона длин волн на     |             |       |       |       |       |           | автомобильных радаров, охранных и          |
|      основе магнитоэлектронных  |             |       |       |       |       |           | сигнальных устройств (2009 год),           |
|      твердотельных и            |             |       |       |       |       |           | разработка комплектов документации в       |
|      высокоскоростных цифровых  |             |       |       |       |       |           | стандартах единой системы                  |
|      приборов и устройств с     |             |       |       |       |       |           | конструкторской, технологической и         |
|      функциями адаптации и      |             |       |       |       |       |           | производственной документации, ввод в      |
|      цифрового                  |             |       |       |       |       |           | эксплуатацию производственной линии        |
|      диаграммообразования       |             |       |       |       |       |           |                                            |
|---------------------------------|-------------|-------|-------|-------|-------|-----------|--------------------------------------------|
|  22. Разработка базовых         |    2670     |  375  | 420   | 450   | 525   |    900    | создание конструктивных рядов и базовых    |
|      технологий создания        |    ----     |  ---  | ---   | ---   | ---   |    ---    | технологий проектирования и производства   |
|      мощных вакуумных           |    1780     |  250  | 280   | 300   | 350   |    600    | мощных и сверхмощных вакуумных             |
|      сверхвысокочастотных       |             |       |       |       |       |           | сверхвысокочастотных приборов для          |
|      устройств                  |             |       |       |       |       |           | аппаратуры широкого назначения нового      |
|                                 |             |       |       |       |       |           | поколения (2009 год, 2011 год), включая    |
|                                 |             |       |       |       |       |           | разработку:                                |
|                                 |             |       |       |       |       |           |      конструкций многолучевых              |
|                                 |             |       |       |       |       |           | электронно-оптических систем, включая      |
|                                 |             |       |       |       |       |           | автоэмиссионные катоды повышенной          |
|                                 |             |       |       |       |       |           | мощности и долговечности (2012 год);       |
|                                 |             |       |       |       |       |           |      мощных широкополосных ламп бегущей    |
|                                 |             |       |       |       |       |           | волны импульсного и непрерывного           |
|                                 |             |       |       |       |       |           | действия, магнетронов, тетродов            |
|                                 |             |       |       |       |       |           | миллиметрового диапазона (2013 год);       |
|                                 |             |       |       |       |       |           |      малогабаритных ускорителей            |
|                                 |             |       |       |       |       |           | электронов с энергией до 10 МЭВ для        |
|                                 |             |       |       |       |       |           | терапевтических и технических приложений   |
|                                 |             |       |       |       |       |           | (2014 год)                                 |
|---------------------------------|-------------|-------|-------|-------|-------|-----------|--------------------------------------------|
|  23. Разработка базовых         |    1785     |  150  | 300   | 300   | 135   |    900    | создание базовых конструкций и             |
|      технологий создания        |    ----     |  ---  | ---   | ---   | ---   |    ---    | технологий изготовления                    |
|      мощных твердотельных       |    1190     |  100  | 200   | 200   | 90    |    600    | сверхвысокочастотных мощных приборов на    |
|      сверхвысокочастотных       |             |       |       |       |       |           | структурах с использованием нитрида        |
|      устройств на базе нитрида  |             |       |       |       |       |           | галлия (2008 год, 2010 год), включая:      |
|      галлия                     |             |       |       |       |       |           |       создание гетеропереходных полевых    |
|                                 |             |       |       |       |       |           | транзисторов с диодом Шоттки с удельной    |
|                                 |             |       |       |       |       |           | мощностью до 30 - 40 Вт/мм и рабочими      |
|                                 |             |       |       |       |       |           | напряжениями до 100 В;                     |
|                                 |             |       |       |       |       |           |       исследования и разработку            |
|                                 |             |       |       |       |       |           | технологий получения гетероструктур на     |
|                                 |             |       |       |       |       |           | основе слоев нитрида галлия на изоляторе   |
|                                 |             |       |       |       |       |           | и высокоомных подложках (2013 год);        |
|                                 |             |       |       |       |       |           |       разработка технологии получения      |
|                                 |             |       |       |       |       |           | интегральных схем, работающих в            |
|                                 |             |       |       |       |       |           | экстремальных условиях (2015 год)          |
|---------------------------------|-------------|-------|-------|-------|-------|-----------|--------------------------------------------|
|  24. Исследование               |    1080     |       |       |       |       |   1080    | исследование технологических принципов     |
|      перспективных типов        |    ----     |       |       |       |       |   ----    | формирования перспективных                 |
|      сверхвысокочастотных       |     720     |       |       |       |       |    720    | сверхвысокочастотных приборов и            |
|      приборов и структур,       |             |       |       |       |       |           | структур, включая создание                 |
|      разработка                 |             |       |       |       |       |           | наногетероструктур, использование          |
|      технологических принципов  |             |       |       |       |       |           | комбинированных (электронных и             |
|      их изготовления            |             |       |       |       |       |           | оптических методов передачи и              |
|                                 |             |       |       |       |       |           | преобразования сигналов), определение      |
|                                 |             |       |       |       |       |           | перспективных методов формирования         |
|                                 |             |       |       |       |       |           | приборных структур, работающих в           |
|                                 |             |       |       |       |       |           | частотных диапазонах до 200 ГГц            |
|---------------------------------|-------------|-------|-------|-------|-------|-----------|--------------------------------------------|
|  25. Разработка перспективных   |    1050     |       |       |       |       |   1050    | создание полного состава прикладных        |
|      методов проектирования и   |    ----     |       |       |       |       |   ----    | программ проектирования и оптимизации      |
|      моделирования              |     700     |       |       |       |       |    700    | сверхвысокочастотной электронной           |
|      сложнофункциональной       |             |       |       |       |       |           | компонентной базы, включая                 |
|      сверхвысокочастотной       |             |       |       |       |       |           | проектирование активных приборов,          |
|      электронной компонентной   |             |       |       |       |       |           | полосковых линий передачи, согласующих     |
|      базы                       |             |       |       |       |       |           | компонентов, формируемых в едином          |
|                                 |             |       |       |       |       |           | технологическом процессе                   |
|---------------------------------|-------------|-------|-------|-------|-------|-----------|--------------------------------------------|
|      Всего по направлению 1     |    10791    | 1545  | 1722  |1930,5 |1603,5 |   3930    |                                            |
|                                 |    ----     | ----  | ----  |------ |------ |   ----    |                                            |
|                                 |    7194     | 1030  | 1148  | 1327  | 1069  |   2620    |                                            |
|----------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------|
|                              Направление 2. Радиационно стойкая электронная компонентная база                                          |
|----------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------|
|  26. Разработка базовой         |     151     |  71   |  80   |       |       |           | создание технологии изготовления           |
|      технологии радиационно     |    -----    | ----  | ----  |       |       |           | микросхем с размерами элементов 0,5 мкм    |
|      стойких сверхбольших       |    100,8    | 47,4  | 53,4  |       |       |           | на структурах "кремний на сапфире"         |
|      интегральных схем уровня   |             |       |       |       |       |           | диаметром 150 мм (2009 год), разработка    |
|      0,5 мкм на структурах      |             |       |       |       |       |           | правил проектирования базовых библиотек    |
|      "кремний на сапфире"       |             |       |       |       |       |           | элементов и блоков цифровых и аналоговых   |
|      диаметром 150 мм           |             |       |       |       |       |           | сверхбольших интегральных схем             |
|                                 |             |       |       |       |       |           | расширенной номенклатуры для организации   |
|                                 |             |       |       |       |       |           | производства радиационно стойкой           |
|                                 |             |       |       |       |       |           | элементной базы, обеспечивающей выпуск     |
|                                 |             |       |       |       |       |           | специальной аппаратуры и систем,           |
|                                 |             |       |       |       |       |           | работающих в экстремальных условиях        |
|                                 |             |       |       |       |       |           | (атомная энергетика, космос, военная       |
|                                 |             |       |       |       |       |           | техника)                                   |
|---------------------------------|-------------|-------|-------|-------|-------|-----------|--------------------------------------------|
|  27. Разработка базовой         |    315,4    |       |       | 59,4  |  256  |           | создание технологии изготовления           |
|      технологии радиационно     |    -----    |       |       | ----  | ----- |           | микросхем с размерами элементов            |
|      стойких сверхбольших       |    210,3    |       |       | 39,6  | 170,7 |           | 0,35 мкм на структурах "кремний на         |
|      интегральных схем уровня   |             |       |       |       |       |           | сапфире" диаметром 150 мм (2011 год),      |
|      0,35 мкм на структурах     |             |       |       |       |       |           | разработка правил проектирования базовых   |
|      "кремний на сапфире"       |             |       |       |       |       |           | библиотек элементов и блоков цифровых и    |
|      диаметром 150 мм           |             |       |       |       |       |           | аналоговых сверхбольших интегральных       |
|                                 |             |       |       |       |       |           | схем, обеспечивающих создание расширенной  |
|                                 |             |       |       |       |       |           | номенклатуры быстродействующей и           |
|                                 |             |       |       |       |       |           | высокоинтегрированной радиационно стойкой  |
|                                 |             |       |       |       |       |           | элементной базы                            |
|---------------------------------|-------------|-------|-------|-------|-------|-----------|--------------------------------------------|
|  28. Разработка технологии      |     155     |  71   |  84   |       |       |           | создание технологического базиса           |
|      проектирования и           |    -----    | ----  |  --   |       |       |           | (технология проектирования, базовые        |
|      конструктивно-             |    103,4    | 47,4  |  56   |       |       |           | технологии), позволяющего разрабатывать    |
|      технологических решений    |             |       |       |       |       |           | радиационно стойкие сверхбольшие           |
|      библиотеки логических и    |             |       |       |       |       |           | интегральные схемы на структурах           |
|      аналоговых элементов,      |             |       |       |       |       |           | "кремний на изоляторе" с проектной         |
|      оперативных запоминающих   |             |       |       |       |       |           | нормой до 0,25 мкм (2009 год)              |
|      устройств, постоянных      |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      запоминающих устройств,    |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      сложнофункциональных       |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      радиационно стойких        |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      блоков контроллеров по     |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      технологии "кремний на     |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      изоляторе" с проектными    |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      нормами до 0,25 мкм        |             |       |       |       |       |           |                                            |
|---------------------------------|-------------|-------|-------|-------|-------|-----------|--------------------------------------------|
|  29. Разработка технологии      |    360,1    |       |       |81,5   | 278,6 |           | создание технологического базиса           |
|      проектирования и           |    -----    |       |       |----   | ----- |           | (технология проектирования, базовые        |
|      конструктивно-             |     240     |       |       |54,3   | 185,7 |           | технологии), позволяющего разрабатывать    |
|      технологических решений    |             |       |       |       |       |           | радиационно стойкие сверхбольшие           |
|      библиотеки логических и    |             |       |       |       |       |           | интегральные схемы на структурах           |
|      аналоговых элементов,      |             |       |       |       |       |           | "кремний на изоляторе" с проектной         |
|      оперативных запоминающих   |             |       |       |       |       |           | нормой до 0,18 мкм                         |
|      устройств, постоянных      |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      запоминающих устройств,    |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      сложнофункциональных       |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      радиационно стойких        |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      блоков контроллеров по     |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      технологии "кремний на     |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      изоляторе" с проектными    |             |       |       |       |       |           |                                            |

Страницы: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  



Печать
РАЗМЕСТИТЬ БЕСПЛАТНО:

2003 - 2020 © НДП "Альянс Медиа"
Рейтинг@Mail.ruRambler's Top100