ИННОВАЦИИ И ПРЕДПРИНИМАТЕЛЬСТВО: ГРАНТЫ, ТЕХНОЛОГИИ, ПАТЕНТЫ
innovbusiness.ru

Печать

Страницы: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  


|      изоляторе" с проектными    |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      нормами до 0,18 мкм        |             |       |       |       |       |           |                                            |
|---------------------------------|-------------|-------|-------|-------|-------|-----------|--------------------------------------------|
|  30. Разработка базовых         |     174     |  98   |  76   |       |       |           | создание технологического процесса         |
|      технологических процессов  |     ---     | ----  | ----  |       |       |           | изготовления сверхбольших интегральных     |
|      изготовления радиационно   |     116     | 65,3  | 50,7  |       |       |           | схем энергонезависимой, радиационно        |
|      стойкой элементной базы    |             |       |       |       |       |           | стойкой сегнетоэлектрической памяти        |
|      для сверхбольших           |             |       |       |       |       |           | уровня 0,35 мкм и базовой технологии       |
|      интегральных схем          |             |       |       |       |       |           | создания, изготовления и аттестации        |
|      энергозависимой            |             |       |       |       |       |           | радиационно стойкой пассивной              |
|      пьезоэлектрической и       |             |       |       |       |       |           | электронной компонентной базы (2009 год)   |
|      магниторезистивной памяти  |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      с проектными нормами 0,35  |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      мкм и пассивной            |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      радиационно стойкой        |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      элементной базы            |             |       |       |       |       |           |                                            |
|---------------------------------|-------------|-------|-------|-------|-------|-----------|--------------------------------------------|
|  31. Разработка базовых         |     261     |       |       | 56    |  205  |           | создание технологического процесса         |
|      технологических процессов  |    -----    |       |       |----   | ----- |           | изготовления сверхбольших интегральных     |
|      изготовления радиационно   |    174,2    |       |       |37,3   | 136,9 |           | схем энергонезависимой радиационно         |
|      стойкой элементной базы    |             |       |       |       |       |           | стойкой сегнетоэлектрической памяти        |
|      для сверхбольших           |             |       |       |       |       |           | уровня 0,18 мкм (2010 год) и создания,     |
|      интегральных схем          |             |       |       |       |       |           | изготовления и аттестации радиационно      |
|      энергозависимой            |             |       |       |       |       |           | стойкой пассивной электронной              |
|      пьезоэлектрической и       |             |       |       |       |       |           | компонентной базы (2011 год)               |
|      магниторезистивной памяти  |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      с проектными нормами 0,18  |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      мкм и пассивной            |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      радиационно стойкой        |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      элементной базы            |             |       |       |       |       |           |                                            |
|---------------------------------|-------------|-------|-------|-------|-------|-----------|--------------------------------------------|
|  32. Разработка технологии      |    140,8    | 83,2  | 57,6  |       |       |           | разработка расширенного ряда цифровых      |
|      "кремний на сапфире"       |    -----    | ----  | ----  |       |       |           | процессоров, микроконтроллеров,            |
|      изготовления ряда          |    93,9     | 55,4  | 38,5  |       |       |           | оперативных запоминающих программируемых   |
|      лицензионно-независимых    |             |       |       |       |       |           | и перепрограммируемых устройств,           |
|      радиационно стойких        |             |       |       |       |       |           | аналого-цифровых преобразователей в        |
|      комплементарных полевых    |             |       |       |       |       |           | радиационно стойком исполнении для         |
|      полупроводниковых          |             |       |       |       |       |           | создания специальной аппаратуры нового     |
|      сверхбольших интегральных  |             |       |       |       |       |           | поколения                                  |
|      схем цифровых процессоров  |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      обработки сигналов,        |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      микроконтроллеров и схем   |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      интерфейса                 |             |       |       |       |       |           |                                            |
|---------------------------------|-------------|-------|-------|-------|-------|-----------|--------------------------------------------|
|  33. Разработка технологии      |     374     |       |       |74,5   | 299,5 |           | создание технологии проектирования и       |
|      структур с ультратонким    |    -----    |       |       |----   | ----- |           | изготовления микросхем и                   |
|      слоем кремния на сапфире   |    249,5    |       |       |49,8   | 199,7 |           | сложнофункциональных блоков на основе      |
|                                 |             |       |       |       |       |           | ультратонких слоев на структуре "кремний   |
|                                 |             |       |       |       |       |           | на сапфире", позволяющей разрабатывать     |
|                                 |             |       |       |       |       |           | радиационно стойкие сверхбольшие           |
|                                 |             |       |       |       |       |           | интегральные схемы с высоким уровнем       |
|                                 |             |       |       |       |       |           | радиационной стойкости (2011 год)          |
|---------------------------------|-------------|-------|-------|-------|-------|-----------|--------------------------------------------|
|  34. Разработка базовой         |    152,6    | 80,6  |  72   |       |       |           | разработка конструкции и модели            |
|      технологии и приборно-     |    -----    | ----  |  --   |       |       |           | интегральных элементов и                   |
|      технологического базиса    |    98,4     | 50,4  |  48   |       |       |           | технологического маршрута изготовления     |
|      производства радиационно   |             |       |       |       |       |           | радиационно стойких сверхбольших           |
|      стойких сверхбольших       |             |       |       |       |       |           | интегральных схем типа "система на         |
|      интегральных схем          |             |       |       |       |       |           | кристалле" с расширенным температурным     |
|      "система на кристалле",    |             |       |       |       |       |           | диапазоном, силовых транзисторов и         |
|      радиационно стойкой        |             |       |       |       |       |           | модулей для бортовых и промышленных        |
|      силовой электроники для    |             |       |       |       |       |           | систем управления с пробивными             |
|      аппаратуры питания и       |             |       |       |       |       |           | напряжениями до 75 В и рабочими токами     |
|      управления                 |             |       |       |       |       |           | коммутации до 10 А (2009 год)              |
|---------------------------------|-------------|-------|-------|-------|-------|-----------|--------------------------------------------|
|  35. Разработка элементной      |    81,2     | 33,2  |  48   |       |       |           | создание ряда микронанотриодов и           |
|      базы радиационно стойких   |    ----     | ----  |  --   |       |       |           | микронанодиодов с наивысшей радиационной   |
|      интегральных схем на       |    57,5     | 25,5  |  32   |       |       |           | стойкостью для долговечной аппаратуры      |
|      основе полевых             |             |       |       |       |       |           | космического базирования                   |
|      эмиссионных                |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      микронанотриодов           |             |       |       |       |       |           |                                            |
|---------------------------------|-------------|-------|-------|-------|-------|-----------|--------------------------------------------|
|  36. Создание информационной    |     251     |       |       |61,1   | 189,9 |           | разработка комплекса моделей расчета       |
|      базы радиационно стойкой   |    -----    |       |       |----   | ----- |           | радиационной стойкости электронной         |
|      электронной компонентной   |    167,3    |       |       |40,7   | 126,6 |           | компонентной базы для определения          |
|      базы, содержащей модели    |             |       |       |       |       |           | технически обоснованных норм испытаний     |
|      интегральных компонентов,  |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      функционирующих в          |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      условиях радиационных      |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      воздействий, создание      |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      математических моделей     |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      стойкости электронной      |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      компонентной базы,         |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      создание методик           |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      испытаний и аттестации     |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      электронной компонентной   |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      базы                       |             |       |       |       |       |           |                                            |
|---------------------------------|-------------|-------|-------|-------|-------|-----------|--------------------------------------------|
|  37. Разработка библиотек       |     975     |       |       |       |       |    975    | создание технологии проектирования и       |
|      стандартных элементов и    |     ---     |       |       |       |       |    ---    | изготовления микросхем и                   |
|      сложнофункциональных       |     650     |       |       |       |       |    650    | сложнофункциональных блоков на основе      |
|      блоков для создания        |             |       |       |       |       |           | ультратонких слоев на структуре "кремний   |
|      радиационно стойких        |             |       |       |       |       |           | на сапфире", позволяющей разрабатывать     |
|      сверхбольших интегральных  |             |       |       |       |       |           | радиационно стойкие сверхбольшие           |
|      схем                       |             |       |       |       |       |           | интегральные схемы с высоким уровнем       |
|                                 |             |       |       |       |       |           | радиационной стойкости (2012 год, 2015     |
|                                 |             |       |       |       |       |           | год)                                       |
|---------------------------------|-------------|-------|-------|-------|-------|-----------|--------------------------------------------|
|  38. Разработка расширенного    |     975     |       |       |       |       |    975    | разработка расширенного ряда цифровых      |
|      ряда радиационно стойких   |     ---     |       |       |       |       |    ---    | процессоров, микроконтроллеров,            |
|      сверхбольших интегральных  |     600     |       |       |       |       |    600    | оперативных запоминающих программируемых   |
|      схем для специальной       |             |       |       |       |       |           | и перепрограммируемых устройств,           |
|      аппаратуры связи,          |             |       |       |       |       |           | аналого-цифровых преобразователей в        |
|      обработки и передачи       |             |       |       |       |       |           | радиационно стойком исполнении для         |
|      информации, систем         |             |       |       |       |       |           | создания специальной аппаратуры нового     |
|      управления                 |             |       |       |       |       |           | поколения, разработка конструкции и        |
|                                 |             |       |       |       |       |           | модели интегральных элементов и            |
|                                 |             |       |       |       |       |           | технологического маршрута изготовления     |
|                                 |             |       |       |       |       |           | радиационно стойких сверхбольших           |
|                                 |             |       |       |       |       |           | интегральных схем типа "система на         |
|                                 |             |       |       |       |       |           | кристалле" с расширенным температурным     |
|                                 |             |       |       |       |       |           | диапазоном, силовых транзисторов и         |
|                                 |             |       |       |       |       |           | модулей для бортовых и промышленных        |
|                                 |             |       |       |       |       |           | систем управления с пробивными             |
|                                 |             |       |       |       |       |           | напряжениями до 75 В и рабочими токами     |
|                                 |             |       |       |       |       |           | коммутации до 10 А, создание ряда          |
|                                 |             |       |       |       |       |           | микронанотриодов и микронанотриодов с      |
|                                 |             |       |       |       |       |           | наивысшей радиационной стойкостью для      |
|                                 |             |       |       |       |       |           | долговечной аппаратуры космического        |
|                                 |             |       |       |       |       |           | базирования                                |
|---------------------------------|-------------|-------|-------|-------|-------|-----------|--------------------------------------------|
|  39. Разработка и               |     951     |       |       |       |       |    951    | разработка комплекса моделей расчета       |
|      совершенствование методов  |     ---     |       |       |       |       |    ---    | радиационной стойкости электронной         |
|      моделирования и            |     634     |       |       |       |       |    634    | компонентной базы для определения          |
|      проектирования             |             |       |       |       |       |           | технически обоснованных норм испытаний     |
|      радиационно стойкой        |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      элементной базы            |             |       |       |       |       |           |                                            |
|---------------------------------|-------------|-------|-------|-------|-------|-----------|--------------------------------------------|
|  40. Разработка и               |     975     |       |       |       |       |    975    | создание технологического базиса           |
|      совершенствование базовых  |     ---     |       |       |       |       |    ---    | (технология проектирования, базовые        |
|      технологий и конструкций   |     650     |       |       |       |       |    650    | технологии), позволяющего разрабатывать    |
|      радиационно стойких        |             |       |       |       |       |           | радиационно стойкие сверхбольшие           |
|      сверхбольших интегральных  |             |       |       |       |       |           | интегральные схемы на структурах "кремний  |
|      схем на структурах         |             |       |       |       |       |           | на изоляторе" с проектной нормой не менее  |
|      "кремний на сапфире" и     |             |       |       |       |       |           | 0,18 мкм (2014 год), создание              |
|      "кремний на изоляторе" с   |             |       |       |       |       |           | технологического базиса (технология        |
|      топологическими нормами    |             |       |       |       |       |           | проектирования, базовые технологии),       |
|      не менее 0,18 мкм          |             |       |       |       |       |           | позволяющего разрабатывать радиационно     |
|                                 |             |       |       |       |       |           | стойкие сверхбольшие интегральные схемы    |
|                                 |             |       |       |       |       |           | на структурах "кремний на изоляторе" с     |
|                                 |             |       |       |       |       |           | проектной нормой не менее 0,18 мкм (2015   |
|                                 |             |       |       |       |       |           | год)                                       |
|---------------------------------|-------------|-------|-------|-------|-------|-----------|--------------------------------------------|
|      Всего                      |    6293     | 437,1 |417,6  |332,5  |1229,4 |   3876    |                                            |
|      по направлению 2           |   ------    | ----- |-----  |-----  |------ |   ----    |                                            |
|                                 |   4195,3    | 291,4 |278,6  |221,7  | 819,6 |   2584    |                                            |
|----------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------|
|                                              Направление 3. Микросистемная техника                                                     |
|----------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------|
|  41. Разработка базовых         |     209     |  112  |  97   |       |       |           | создание базовых технологий (2009 год) и   |
|      технологий микро-          |     ---     |  ---  |  --   |       |       |           | комплектов технологической документации    |
|      электромеханических        |     105     |  75   |  30   |       |       |           | на изготовление микроэлектромеханических   |
|      систем                     |             |       |       |       |       |           | систем контроля давления,                  |
|                                 |             |       |       |       |       |           | микроакселерометров с чувствительностью    |
|                                 |             |       |       |       |       |           | по двум и трем осям, микромеханических     |
|                                 |             |       |       |       |       |           | датчиков угловых скоростей,                |
|                                 |             |       |       |       |       |           | микроактюаторов                            |
|---------------------------------|-------------|-------|-------|-------|-------|-----------|--------------------------------------------|
|  42. Разработка базовых         |     424     |       |  75   | 228   | 121   |           | разработка базовых конструкций и           |
|      конструкций                |     ---     |       |  --   | ---   | ---   |           | комплектов необходимой конструкторской     |
|      микроэлектромеханических   |     277     |       |  60   | 141   | 76    |           | документации на изготовление               |
|      систем                     |             |       |       |       |       |           | чувствительных элементов и микросистем     |
|                                 |             |       |       |       |       |           | контроля давления, микроакселерометров,    |
|                                 |             |       |       |       |       |           | микромеханических датчиков угловых         |
|                                 |             |       |       |       |       |           | скоростей, микроактюаторов с напряжением   |
|                                 |             |       |       |       |       |           | управления, предназначенных для            |
|                                 |             |       |       |       |       |           | использования в транспортных средствах,    |
|                                 |             |       |       |       |       |           | оборудовании                               |
|                                 |             |       |       |       |       |           | топливно-энергетического комплекса,        |
|                                 |             |       |       |       |       |           | машиностроении, медицинской технике,       |
|                                 |             |       |       |       |       |           | робототехнике, бытовой технике             |
|---------------------------------|-------------|-------|-------|-------|-------|-----------|--------------------------------------------|
|  43. Разработка базовых         |     155     |  110  |  45   |       |       |           | создание базовых технологий                |
|      технологий микроакусто-    |     ---     |  ---  |  --   |       |       |           | (2009 год) и комплектов необходимой        |
|      электромеханических систем |     100     |  70   |  30   |       |       |           | технологической документации на            |
|                                 |             |       |       |       |       |           | изготовление                               |
|                                 |             |       |       |       |       |           | микроакустоэлектромеханических систем,     |
|                                 |             |       |       |       |       |           | основанных на использовании поверхностных  |
|                                 |             |       |       |       |       |           | акустических волн (диапазон частот до 2    |
|                                 |             |       |       |       |       |           | ГГц) и объемно-акустических волн           |
|                                 |             |       |       |       |       |           | (диапазон частот до 8 ГГц),                |
|                                 |             |       |       |       |       |           | пьезокерамических элементов, совместимых   |
|                                 |             |       |       |       |       |           | с интегральной технологией                 |
|                                 |             |       |       |       |       |           | микроэлектроники                           |
|---------------------------------|-------------|-------|-------|-------|-------|-----------|--------------------------------------------|
|  44. Разработка базовых         |     418     |       |  71   | 225   | 122   |           | разработка базовых конструкций и           |
|      конструкций                |     ---     |       |  --   | --    | --    |           | комплектов необходимой конструкторской     |
|      микроакустоэлектро-        |     280     |       |  60   | 143   | 77    |           | документации на изготовление пассивных     |
|      механических систем        |             |       |       |       |       |           | датчиков физических величин -              |
|                                 |             |       |       |       |       |           | микроакселерометров, микрогироскопов на    |
|                                 |             |       |       |       |       |           | поверхностных акустических волнах,         |
|                                 |             |       |       |       |       |           | датчиков давления и температуры, датчиков  |
|                                 |             |       |       |       |       |           | деформации, крутящего момента и            |
|                                 |             |       |       |       |       |           | микроперемещений, резонаторов              |
|---------------------------------|-------------|-------|-------|-------|-------|-----------|--------------------------------------------|
|  45. Разработка базовых         |     55      |  55   |       |       |       |           | создание базовых технологий изготовления   |
|      технологий                 |     --      |  --   |       |       |       |           | элементов микроаналитических систем,       |
|      микроаналитических систем  |     38      |  38   |       |       |       |           | чувствительных к газовым, химическим и     |
|                                 |             |       |       |       |       |           | биологическим компонентам внешней среды,   |
|                                 |             |       |       |       |       |           | предназначенных для использования в        |
|                                 |             |       |       |       |       |           | аппаратуре жилищно-коммунального           |
|                                 |             |       |       |       |       |           | хозяйства, в медицинской и биомедицинской  |
|                                 |             |       |       |       |       |           | технике для обнаружения токсичных,         |
|                                 |             |       |       |       |       |           | горючих и взрывчатых материалов            |
|---------------------------------|-------------|-------|-------|-------|-------|-----------|--------------------------------------------|
|  46. Разработка базовых         |     224     |       |  64   | 102   |  58   |           | создание базовых конструкций               |
|      конструкций                |     ---     |       |  --   | ---   |  --   |           | микроаналитических систем,                 |
|      микроаналитических систем  |     164     |       |  30   | 86    |  48   |           | предназначенных для аппаратуры жилищно-    |
|                                 |             |       |       |       |       |           | коммунального хозяйства, медицинской и     |
|                                 |             |       |       |       |       |           | биомедицинской техники;                    |
|                                 |             |       |       |       |       |           | разработка датчиков и аналитических        |
|                                 |             |       |       |       |       |           | систем миниатюрных размеров с высокой      |
|                                 |             |       |       |       |       |           | чувствительностью к сверхмалым             |
|                                 |             |       |       |       |       |           | концентрациям химических веществ для       |
|                                 |             |       |       |       |       |           | осуществления мониторинга окружающей       |
|                                 |             |       |       |       |       |           | среды, контроля качества пищевых           |
|                                 |             |       |       |       |       |           | продуктов и контроля утечек опасных и      |
|                                 |             |       |       |       |       |           | вредных веществ в технологических          |
|                                 |             |       |       |       |       |           | процессах                                  |
|---------------------------------|-------------|-------|-------|-------|-------|-----------|--------------------------------------------|
|  47. Разработка базовых         |     94      |  59   |  35   |       |       |           | создание базовых технологий выпуска        |
|      технологий микро-          |     --      |  --   |  --   |       |       |           | трехмерных оптических и акустооптических   |
|      оптоэлектромеханических    |     71      |  41   |  30   |       |       |           | функциональных элементов,                  |
|      систем                     |             |       |       |       |       |           | микрооптоэлектромеханических систем для    |
|                                 |             |       |       |       |       |           | коммутации и модуляции оптического         |
|                                 |             |       |       |       |       |           | излучения, акустооптических                |
|                                 |             |       |       |       |       |           | перестраиваемых фильтров, двухмерных       |
|                                 |             |       |       |       |       |           | управляемых матриц микрозеркал             |
|                                 |             |       |       |       |       |           | микропереключателей и фазовращателей       |
|                                 |             |       |       |       |       |           | (2009 год)                                 |
|---------------------------------|-------------|-------|-------|-------|-------|-----------|--------------------------------------------|
|  48. Разработка базовых         |     208     |       |  35   | 112   |  61   |           | разработка базовых конструкций и           |
|      конструкций микро-         |     ---     |       |  --   | ---   |  --   |           | комплектов, конструкторской документации   |
|      оптоэлектромеханических    |     145     |       |  30   | 75    |  40   |           | на изготовление                            |
|      систем                     |             |       |       |       |       |           | микрооптоэлектромеханических систем        |
|                                 |             |       |       |       |       |           | коммутации и модуляции оптического         |
|                                 |             |       |       |       |       |           | излучения                                  |
|---------------------------------|-------------|-------|-------|-------|-------|-----------|--------------------------------------------|
|  49. Разработка базовых         |     55      |  55   |       |       |       |           | создание базовых технологий изготовления   |
|      технологий микросистем     |     --      |  --   |       |       |       |           | микросистем анализа магнитных полей на     |
|      анализа магнитных полей    |     38      |  38   |       |       |       |           | основе анизотропного и гигантского         |
|                                 |             |       |       |       |       |           | магниторезистивного эффектов,              |
|                                 |             |       |       |       |       |           | квазимонолитных и монолитных               |
|                                 |             |       |       |       |       |           | гетеромагнитных пленочных структур (2008   |
|                                 |             |       |       |       |       |           | год)                                       |
|---------------------------------|-------------|-------|-------|-------|-------|-----------|--------------------------------------------|
|  50. Разработка базовых         |     214     |       |  54   | 104   |  56   |           | разработка базовых конструкций и           |
|      конструкций микросистем    |     ---     |       |  --   | ---   |  --   |           | комплектов конструкторской документации    |
|      анализа магнитных полей    |     137     |       |  30   | 69    |  38   |           | на магниточувствительные микросистемы для  |
|                                 |             |       |       |       |       |           | применения в электронных системах          |
|                                 |             |       |       |       |       |           | управления приводами, в датчиках           |
|                                 |             |       |       |       |       |           | положения и потребления, бесконтактных     |
|                                 |             |       |       |       |       |           | переключателях                             |
|---------------------------------|-------------|-------|-------|-------|-------|-----------|--------------------------------------------|
|  51. Разработка базовых         |     77      |  45   |  32   |       |       |           | разработка и освоение в производстве       |
|      технологий радиочастотных  |     --      |  --   |  --   |       |       |           | базовых технологий изготовления            |
|      микроэлектромеханических   |     61      |  31   |  30   |       |       |           | радиочастотных микроэлектромеханических    |
|      систем                     |             |       |       |       |       |           | систем и компонентов, включающих           |
|                                 |             |       |       |       |       |           | микрореле, коммутаторы,                    |
|                                 |             |       |       |       |       |           | микропереключатели (2009 год)              |
|---------------------------------|-------------|-------|-------|-------|-------|-----------|--------------------------------------------|
|  52. Разработка базовых         |     166     |       |  32   | 87    |  47   |           | разработка базовых конструкций и           |
|      конструкций радиочастотных |     ---     |       |  --   | --    |  --   |           | комплектов конструкторской документации    |
|      микроэлектромеханических   |     119     |       |  30   | 58    |  31   |           | на изготовление радиочастотных             |
|      систем                     |             |       |       |       |       |           | микроэлектромеханических систем -          |
|                                 |             |       |       |       |       |           | компонентов, позволяющих получить резкое   |
|                                 |             |       |       |       |       |           | улучшение массогабаритных характеристик,   |
|                                 |             |       |       |       |       |           | повышение технологичности и снижение       |
|                                 |             |       |       |       |       |           | стоимости изделий                          |
|---------------------------------|-------------|-------|-------|-------|-------|-----------|--------------------------------------------|
|  53. Разработка методов и       |     40      |  40   |       |       |       |           | создание методов и средств контроля и      |
|      средств обеспечения        |     --      |  --   |       |       |       |           | измерения параметров и характеристик       |
|      создания и производства    |     24      |  24   |       |       |       |           | изделий микросистемотехники, разработка    |
|      изделий микросистемной     |             |       |       |       |       |           | комплектов стандартов и нормативных        |
|      техники                    |             |       |       |       |       |           | документов по безопасности и               |
|                                 |             |       |       |       |       |           | экологии                                   |
|---------------------------------|-------------|-------|-------|-------|-------|-----------|--------------------------------------------|
|  54. Разработка перспективных   |    1155     |       |       |       |       |    1155   | создание базовых технологий выпуска        |
|      технологий и конструкций   |    ----     |       |       |       |       |    ----   | трехмерных оптических и акустооптических   |
|      микрооптоэлектромехани-    |     770     |       |       |       |       |     770   | функциональных элементов,                  |
|      ческих систем для          |             |       |       |       |       |           | микрооптоэлектромеханических систем для    |
|      оптической аппаратуры,     |             |       |       |       |       |           | коммутации и модуляции оптического         |
|      систем отображения         |             |       |       |       |       |           | излучения (2012 год),                      |
|      изображений, научных       |             |       |       |       |       |           | акустооптических перестраиваемых фильтров  |
|      исследований и специальной |             |       |       |       |       |           | (2012 год), двухмерных управляемых матриц  |
|      техники                    |             |       |       |       |       |           | микрозеркал микропереключателей и          |
|                                 |             |       |       |       |       |           | фазовращателей (2013 год), разработка      |
|                                 |             |       |       |       |       |           | базовых технологий, конструкций и          |
|                                 |             |       |       |       |       |           | комплектов, конструкторской документации   |
|                                 |             |       |       |       |       |           | на изготовление                            |
|                                 |             |       |       |       |       |           | микрооптоэлектромеханических               |
|                                 |             |       |       |       |       |           | систем коммутации и модуляции оптического  |
|                                 |             |       |       |       |       |           | излучения (2015 год)                       |
|---------------------------------|-------------|-------|-------|-------|-------|-----------|--------------------------------------------|
|  55. Разработка и               |    1155     |       |       |       |       |    1155   | создание методов и средств контроля и      |
|      совершенствование методов  |    ----     |       |       |       |       |    ----   | измерения параметров и характеристик       |
|      и средств контроля,        |     770     |       |       |       |       |     770   | изделий микросистемотехники, разработка    |
|      испытаний и аттестации     |             |       |       |       |       |           | комплектов стандартов и нормативных        |
|      изделий                    |             |       |       |       |       |           | документов по безопасности и экологии      |
|      микросистемотехники        |             |       |       |       |       |           |                                            |
|---------------------------------|-------------|-------|-------|-------|-------|-----------|--------------------------------------------|
|  56. Разработка перспективных   |    1170     |       |       |       |       |    1170   | создание перспективных технологий          |
|      технологий и конструкций   |    ----     |       |       |       |       |    ----   | изготовления элементов микроаналитических  |
|      микроаналитических систем  |     780     |       |       |       |       |     780   | систем, чувствительных к газовым,          |
|      для аппаратуры контроля и  |             |       |       |       |       |           | химическим и биологическим компонентам     |
|      обнаружения токсичных,     |             |       |       |       |       |           | внешней среды, предназначенных для         |
|      горючих, взрывчатых и      |             |       |       |       |       |           | использования в аппаратуре жилищно-        |
|      наркотических веществ      |             |       |       |       |       |           | коммунального хозяйства (2012 год, 2013    |
|                                 |             |       |       |       |       |           | год, 2014 год)                             |
|---------------------------------|-------------|-------|-------|-------|-------|-----------|--------------------------------------------|
|      Всего по направлению 3     |   5818,5    | 475,5 | 540   | 858   | 465   |   3480    |                                            |
|                                 |   ------    | ----- | ---   | ---   | ---   |   ----    |                                            |
|                                 |    3879     |  317  | 360   | 572   | 310   |   2320    |                                            |
|----------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------|
|                                                 Направление 4. Микроэлектроника                                                        |
|----------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------|
|  57. Разработка технологии и    |     270     | 148,9 |121,1  |       |       |           | разработка комплекта нормативно-           |
|      развитие методологии       |    -----    | ----- |-----  |       |       |           | технической документации по                |
|      проектирования изделий     |    125,6    | 76,6  |  49   |       |       |           | проектированию изделий микроэлектроники,   |
|      микроэлектроники:          |             |       |       |       |       |           | создание отраслевой базы данных с          |
|      разработка и освоение      |             |       |       |       |       |           | каталогами библиотечных элементов и        |
|      современной технологии     |             |       |       |       |       |           | сложнофункциональных блоков с              |
|      проектирования             |             |       |       |       |       |           | каталогизированными результатами           |
|      универсальных              |             |       |       |       |       |           | аттестации на физическом уровне,           |
|      микропроцессоров,          |             |       |       |       |       |           | разработка комплекта нормативно-           |
|      процессоров обработки      |             |       |       |       |       |           | технической и технологической              |
|      сигналов, микро-           |             |       |       |       |       |           | документации по взаимодействию центров     |
|      контроллеров и "системы на |             |       |       |       |       |           | проектирования в сетевом режиме            |
|      кристалле" на основе       |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      каталогизированных         |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      сложнофункциональных       |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      блоков и библиотечных      |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      элементов, в том числе     |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      создание отраслевой базы   |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      данных и технологических   |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      файлов для                 |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      автоматизированных систем  |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      проектирования;            |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      освоение и развитие        |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      технологии проектирования  |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      для обеспечения            |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      технологичности            |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      производства и стабильного |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      выхода годных с целью      |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      размещения заказов на      |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      современной базе           |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      контрактного производства  |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      с технологическим уровнем  |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      до 0,13 мкм                |             |       |       |       |       |           |                                            |
|---------------------------------|-------------|-------|-------|-------|-------|-----------|--------------------------------------------|
|  58. Разработка и освоение      |     34      |  22   |  12   |       |       |           | разработка комплекта технологической       |
|      базовой технологии         |    ----     | ----  |  --   |       |       |           | документации и организационно-             |
|      производства фотошаблонов  |    22,7     | 14,7  |  8    |       |       |           | распорядительной документации по           |
|      с технологическим уровнем  |             |       |       |       |       |           | взаимодействию центров проектирования и    |
|      до 0,13 мкм с целью        |             |       |       |       |       |           | центра изготовления фотошаблонов           |
|      обеспечения информационной |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      защиты проектов изделий    |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      микроэлектроники при       |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      использовании контрактного |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      производства               |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      (отечественного и          |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      зарубежного)               |             |       |       |       |       |           |                                            |
|---------------------------------|-------------|-------|-------|-------|-------|-----------|--------------------------------------------|
|  59. Разработка семейств и      |    766,9    | 336,7 |430,2  |       |       |           | разработка комплектов документации в       |
|      серий изделий              |    -----    | ----- |-----  |       |       |           | стандартах единой системы                  |
|      микроэлектроники:          |    466,8    |  180  |286,8  |       |       |           | конструкторской, технологической и         |
|      универсальных              |             |       |       |       |       |           | производственной документации,             |
|      микропроцессоров для       |             |       |       |       |       |           | изготовление опытных образцов изделий и    |
|      встроенных применений;     |             |       |       |       |       |           | организация серийного производства         |
|      универсальных              |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      микропроцессоров для       |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      серверов и рабочих         |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      станций;                   |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      цифровых процессоров       |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      обработки сигналов;        |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      сверхбольших интегральных  |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      схем, программируемых      |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      логических интегральных    |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      схем;                      |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      сверхбольших интегральных  |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      схем быстродействующей     |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      динамической и статической |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      памяти;                    |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      микроконтроллеров со       |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      встроенной                 |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      энергонезависимой          |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      электрически               |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      программируемой памятью;   |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      схем интерфейса            |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      дискретного ввода/вывода;  |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      схем аналогового           |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      интерфейса;                |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      цифроаналоговых и аналого- |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      цифровых преобразователей  |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      на частотах                |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      выше 100 МГц с             |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      разрядностью более 8 - 12  |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      бит;                       |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      схем приемопередатчиков    |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      шинных интерфейсов;        |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      изделий интеллектуальной   |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      силовой микроэлектроники   |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      для применения в           |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      аппаратуре промышленного и |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      бытового назначения;       |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      встроенных интегральных    |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      источников питания         |             |       |       |       |       |           |                                            |
|---------------------------------|-------------|-------|-------|-------|-------|-----------|--------------------------------------------|
|  60. Разработка базовых         |   1801,6    |       |       |799,8  |1001,8 |           | разработка комплектов документации в       |
|      серийных технологий        |   ------    |       |       |-----  |------ |           | стандартах единой системы                  |
|      изделий микроэлектроники:  |   1200,9    |       |       |533,1  | 667,8 |           | конструкторской, технологической и         |
|      цифроаналоговых и аналого- |             |       |       |       |       |           | производственной документации,             |
|      цифровых преобразователей  |             |       |       |       |       |           | изготовление опытных образцов изделий и    |
|      на частотах выше 100 МГц с |             |       |       |       |       |           | организация серийного производства         |
|      разрядностью более 14 - 16 |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      бит;                       |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      микроэлектронных устройств |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      различных типов, включая   |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      сенсоры с применением      |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      наноструктур и             |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      биосенсоров;               |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      сенсоров на основе         |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      магнито-электрических и    |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      пьезоматериалов;           |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      встроенных интегральных    |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      антенных элементов для     |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      диапазонов частот 5 ГГц,   |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      10 - 12 ГГц;               |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      систем на кристалле, в том |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      числе в гетероинтеграции   |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      сенсорных и исполнительных |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      элементов методом          |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      беспроводной сборки с      |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      применением технологии     |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      матричных жестких          |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      выводов                    |             |       |       |       |       |           |                                            |
|---------------------------------|-------------|-------|-------|-------|-------|-----------|--------------------------------------------|
|  61. Разработка технологии и    |    462,4    | 252,4 | 210   |       |       |           | разработка комплектов документации в       |
|      освоение производства      |    -----    | ----- | ---   |       |       |           | стандартах единой системы                  |
|      изделий микроэлектроники с |    308,3    | 168,3 | 140   |       |       |           | конструкторской, технологической           |
|      технологическим уровнем    |             |       |       |       |       |           | документации и ввод в эксплуатацию         |
|      0,13 мкм                   |             |       |       |       |       |           | производственной линии                     |
|---------------------------------|-------------|-------|-------|-------|-------|-----------|--------------------------------------------|
|  62. Разработка базовой         |    894,8    |       |       |146,3  |748,5  |           | разработка комплектов документации в       |
|      технологии формирования    |    -----    |       |       |-----  |-----  |           | стандартах единой системы                  |
|      многослойной разводки      |    596,2    |       |       | 97,3  |498,9  |           | конструкторской, технологической и         |
|      (7 - 8 уровней)            |             |       |       |       |       |           | производственной документации,             |
|      сверхбольших интегральных  |             |       |       |       |       |           | ввод в эксплуатацию производственной       |
|      схем на основе Al и Cu     |             |       |       |       |       |           | линии                                      |
|---------------------------------|-------------|-------|-------|-------|-------|-----------|--------------------------------------------|
|  63. Разработка технологии и    |    494,2    |       |211,1  |166,4  |116,7  |           | разработка комплектов документации в       |
|      организация производства   |    -----    |       |-----  |-----  |-----  |           | стандартах единой системы                  |
|      многокристальных           |    294,2    |       |105,6  |110,9  |77,7   |           | конструкторской, технологической и         |
|      микроэлектронных модулей   |             |       |       |       |       |           | производственной документации,             |
|      для мобильных применений с |             |       |       |       |       |           | ввод в эксплуатацию производственной       |
|      использованием полимерных  |             |       |       |       |       |           | линии                                      |
|      и металлополимерных        |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      микроплат и носителей      |             |       |       |       |       |           |                                            |
|---------------------------------|-------------|-------|-------|-------|-------|-----------|--------------------------------------------|
|  64. Разработка новых методов   |     173     |  68   | 105   |       |       |           | разработка технологической и               |
|      технологических испытаний  |     ---     |  --   | ---   |       |       |           | производственной документации, ввод в      |
|      изделий микроэлектроники,  |     173     |  68   | 105   |       |       |           | эксплуатацию специализированных участков   |
|      гарантирующих их           |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      повышенную надежность в    |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      процессе долговременной    |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      (более 100 000 часов)      |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      эксплуатации, на основе    |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      использования типовых      |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      оценочных схем и тестовых  |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      кристаллов                 |             |       |       |       |       |           |                                            |
|---------------------------------|-------------|-------|-------|-------|-------|-----------|--------------------------------------------|
|  65. Разработка современных     |     227     |  132  |  95   |       |       |           | разработка комплектов документации,        |
|      методов анализа отказов    |     ---     |  ---  |  --   |       |       |           | включая утвержденные отраслевые методики,  |
|      изделий микроэлектроники с |     227     |  132  |  95   |       |       |           | ввод в эксплуатацию модернизированных      |
|      применением                |             |       |       |       |       |           | участков и лабораторий анализа отказов     |
|      ультраразрешающих методов  |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      (ультразвуковая            |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      гигагерцовая микроскопия,  |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      сканирование синхротронным |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      излучением, атомная        |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      и туннельная силовая       |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      микроскопия, электронно- и |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      ионно-лучевое зондирование |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      и другие)                  |             |       |       |       |       |           |                                            |
|---------------------------------|-------------|-------|-------|-------|-------|-----------|--------------------------------------------|
|  66. Разработка базовых         |    1200     |       |       |       |       |   1200    | разработка и освоение базовой технологии   |
|      субмикронных технологий    |    ----     |       |       |       |       |   ----    | производства фотошаблонов с                |
|      уровней 0,065 - 0,045 мкм  |     800     |       |       |       |       |    800    | технологическим уровнем до 0,045 мкм с     |
|                                 |             |       |       |       |       |           | целью обеспечения информационной защиты    |
|                                 |             |       |       |       |       |           | проектов изделий микроэлектроники при      |
|                                 |             |       |       |       |       |           | использовании контрактного производства    |
|                                 |             |       |       |       |       |           | (отечественного и зарубежного) (2014       |
|                                 |             |       |       |       |       |           | год). Создание отраслевой базы данных и    |
|                                 |             |       |       |       |       |           | технологических файлов для                 |
|                                 |             |       |       |       |       |           | автоматизированных систем проектирования   |
|                                 |             |       |       |       |       |           | сверхбольших интегральных схем;            |
|                                 |             |       |       |       |       |           | создание базовой технологии формирования   |
|                                 |             |       |       |       |       |           | многослойной разводки (7 - 8 уровней)      |
|                                 |             |       |       |       |       |           | сверхбольших интегральных схем на основе   |
|                                 |             |       |       |       |       |           | Al и Cu (2015 год), освоение и развитие    |
|                                 |             |       |       |       |       |           | технологии проектирования и изготовления   |
|                                 |             |       |       |       |       |           | для обеспечения технологичности            |
|                                 |             |       |       |       |       |           | производства и стабильного выхода годных   |
|                                 |             |       |       |       |       |           | изделий, а также с целью размещения        |
|                                 |             |       |       |       |       |           | заказов на современной базе контрактного   |
|                                 |             |       |       |       |       |           | производства с технологическим уровнем до  |
|                                 |             |       |       |       |       |           | 0,045 мкм, разработка комплекта            |
|                                 |             |       |       |       |       |           | технологической документации и             |
|                                 |             |       |       |       |       |           | организационно-распорядительной            |
|                                 |             |       |       |       |       |           | документации по взаимодействию центров     |
|---------------------------------|-------------|-------|-------|-------|-------|-----------|--------------------------------------------|
|  67. Исследование               |    1425     |       |       |       |       |   1425    | создание технологии сверхбольших           |
|      технологических процессов  |    ----     |       |       |       |       |   ----    | интегральных схем технологических уровней  |
|      и структур для             |     950     |       |       |       |       |    950    | 65 - 32 нм, организация опытного           |
|      субмикронных технологий    |             |       |       |       |       |           | производства (2015 год)                    |
|      уровней 0,032 мкм          |             |       |       |       |       |           |                                            |
|---------------------------------|-------------|-------|-------|-------|-------|-----------|--------------------------------------------|
|  68. Разработка перспективных   |    1425     |       |       |       |       |   1425    | создание технологий и конструкций          |
|      технологий и конструкций   |    ----     |       |       |       |       |   ----    | перспективных изделий интеллектуальной     |
|      изделий интеллектуальной   |     950     |       |       |       |       |    950    | силовой микроэлектроники для применения в  |
|      силовой электроники для    |             |       |       |       |       |           | аппаратуре промышленного и бытового        |
|      применения в аппаратуре    |             |       |       |       |       |           | назначения;                                |
|      бытового и промышленного   |             |       |       |       |       |           | создание встроенных интегральных           |
|      применения, на транспорте, |             |       |       |       |       |           | источников питания (2013 - 2015 годы)      |
|      в топливно-энергетическом  |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      комплексе и в специальных  |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      системах                   |             |       |       |       |       |           |                                            |
|---------------------------------|-------------|-------|-------|-------|-------|-----------|--------------------------------------------|
|  69. Разработка перспективных   |    1650     |       |       |       |       |   1650    | разработка перспективной технологии        |
|      технологий сборки          |    ----     |       |       |       |       |   ----    | многокристальных микроэлектронных модулей  |
|      сверхбольших интегральных  |    1100     |       |       |       |       |   1100    | для мобильных применений с использованием  |
|      схем в многовыводные       |             |       |       |       |       |           | полимерных и металлополимерных микроплат   |
|      корпуса, в том числе       |             |       |       |       |       |           | и носителей (2015 год)                     |
|      корпуса с матричным        |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      расположением выводов и    |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      технологий                 |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      многокристальной сборки,   |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      включая создание "систем   |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      в корпусе"                 |             |       |       |       |       |           |                                            |
|---------------------------------|-------------|-------|-------|-------|-------|-----------|--------------------------------------------|
|      Всего по направлению 4     |    11222    | 993,4 |1236,4 |1151   |1913,6 |   5927,5  |                                            |
|                                 |   ------    | ----- |------ |-----  |------ |   ------  |                                            |
|                                 |   7214,7    | 639,6 |789,4  |741,3  |1244,4 |    3800   |                                            |
|----------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------|
|                                       Направление 5. Электронные материалы и структуры                                                 |
|----------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------|
|  70. Разработка технологии      |     78      |  51   |  27   |       |       |           | внедрение новых диэлектрических            |
|      производства новых         |     --      |  --   |  --   |       |       |           | материалов на основе ромбоэдрической       |
|      диэлектрических материалов |     49      |  32   |  17   |       |       |           | модификации нитрида бора и подложек из     |
|      на основе ромбоэдрической  |             |       |       |       |       |           | поликристаллического алмаза с повышенной   |
|      модификации нитрида бора и |             |       |       |       |       |           | теплопроводностью и электропроводностью    |
|      подложек из                |             |       |       |       |       |           | для создания нового поколения              |
|      поликристаллического       |             |       |       |       |       |           | высокоэффективных и надежных               |
|      алмаза                     |             |       |       |       |       |           | сверхвысокочастотных приборов              |
|---------------------------------|-------------|-------|-------|-------|-------|-----------|--------------------------------------------|
|  71. Разработка технологии      |     131     |       |       |  77   |  54   |           | создание технологии производства           |
|      производства               |     ---     |       |       |  --   |  --   |           | гетероэпитаксиальных структур и структур   |
|      гетероэпитаксиальных       |      87     |       |       |  51   |  36   |           | гетеробиполярных транзисторов на основе    |
|      структур и структур        |             |       |       |       |       |           | нитридных соединений A B  для обеспечения  |
|      гетеробиполярных           |             |       |       |       |       |           |                       3 5                  |
|      транзисторов на основе     |             |       |       |       |       |           | разработок и изготовления                  |
|      нитридных соединений A B   |             |       |       |       |       |           | сверхвысокочастотных монолитных            |
|                            3 5  |             |       |       |       |       |           | интегральных схем и мощных транзисторов    |
|      для мощных                 |             |       |       |       |       |           | (2011 год)                                 |
|      полупроводниковых приборов |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      и сверхвысокочастотных     |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      монолитных интегральных    |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      схем                       |             |       |       |       |       |           |                                            |
|---------------------------------|-------------|-------|-------|-------|-------|-----------|--------------------------------------------|
|  72. Разработка базовой         |     77      |  50   |  27   |       |       |           | создание базовой технологии производства   |
|      технологии производства    |     --      |  --   |  --   |       |       |           | гетероструктур и псевдоморфных структур    |
|      метаморфных структур на    |     50      |  32   |  18   |       |       |           | на подложках InP для перспективных         |
|      основе GaAs и              |             |       |       |       |       |           | полупроводниковых приборов и               |
|      псевдоморфных структур на  |             |       |       |       |       |           | сверхвысокочастотных монолитных            |
|      подложках InP для приборов |             |       |       |       |       |           | интегральных схем диапазона 60 - 90 ГГц    |
|      сверхвысокочастотной       |             |       |       |       |       |           | (2009 год)                                 |
|      электроники диапазона 60 - |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      90 ГГц                     |             |       |       |       |       |           |                                            |
|---------------------------------|-------------|-------|-------|-------|-------|-----------|--------------------------------------------|
|  73. Разработка технологии      |     133     |       |       |  79   |  54   |           | создание спинэлектронных магнитных         |
|      производства               |     ---     |       |       |  --   |  --   |           | материалов и микроволновых структур со     |
|      спинэлектронных магнитных  |      88     |       |       |  52   |  36   |           | спиновым управлением для создания          |
|      материалов,                |             |       |       |       |       |           | перспективных микроволновых                |
|      радиопоглощающих и         |             |       |       |       |       |           | сверхвысокочастотных приборов повышенного  |
|      мелкодисперсных ферритовых |             |       |       |       |       |           | быстродействия и низкого                   |
|      материалов для             |             |       |       |       |       |           | энергопотребления                          |
|      сверхвысокочастотных       |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      приборов                   |             |       |       |       |       |           |                                            |
|---------------------------------|-------------|-------|-------|-------|-------|-----------|--------------------------------------------|
|  74. Разработка технологии      |     77      |  50   |  27   |       |       |           | создание технологии массового              |
|      производства высокочистых  |     --      |  --   |  --   |       |       |           | производства высокочистых химических       |
|      химических материалов      |     49      |  31   |  18   |       |       |           | материалов (аммиака, арсина, фосфина,      |
|      (аммиака, арсина, фосфина, |             |       |       |       |       |           | тетрахлорида кремния) для выпуска          |
|      тетрахлорида кремния) для  |             |       |       |       |       |           | полупроводниковых подложек нитрида         |
|      обеспечения производства   |             |       |       |       |       |           | галлия, арсенида галлия, фосфида индия,    |
|      полупроводниковых подложек |             |       |       |       |       |           | кремния и гетероэпитаксиальных структур    |
|      нитрида галлия, арсенида   |             |       |       |       |       |           | на их основе (2009 год)                    |
|      галлия, фосфида индия,     |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      кремния и                  |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      гетероэпитаксиальных       |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      структур на их основе      |             |       |       |       |       |           |                                            |
|---------------------------------|-------------|-------|-------|-------|-------|-----------|--------------------------------------------|
|  75. Разработка технологии      |     134     |       |       |  79   |  55   |           | создание технологии производства           |
|      производства               |     ---     |       |       |  --   |  --   |           | поликристаллических алмазов и его пленок   |
|      поликристаллических        |      88     |       |       |  52   |  36   |           | для мощных сверхвысокочастотных приборов   |
|      алмазов и их пленок для    |             |       |       |       |       |           | (2011 год)                                 |
|      теплопроводных конструкций |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      мощных выходных            |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      транзисторов и             |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      сверхвысокочастотных       |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      приборов                   |             |       |       |       |       |           |                                            |
|---------------------------------|-------------|-------|-------|-------|-------|-----------|--------------------------------------------|
|  76. Исследование путей и       |     57      |  36   |  21   |       |       |           | создание технологии изготовления новых     |
|      разработка технологии      |     --      |  --   |  --   |       |       |           | микроволокон на основе двухмерных          |
|      изготовления новых         |     38      |  24   |  14   |       |       |           | диэлектрических и металлодиэлектрических   |
|      микроволокон на основе     |             |       |       |       |       |           | микро- и наноструктур для новых классов    |
|      двухмерных диэлектрических |             |       |       |       |       |           | микроструктурных приборов,                 |
|      и металлодиэлектрических   |             |       |       |       |       |           | магниторезисторов, осцилляторов,           |
|      микро- и наноструктур, а   |             |       |       |       |       |           | устройств оптоэлектроники                  |
|      также полупроводниковых    |             |       |       |       |       |           | (2009 год)                                 |
|      нитей с наноразмерами при  |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      вытяжке стеклянного        |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      капилляра, заполненного    |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      жидкой фазой               |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      полупроводника             |             |       |       |       |       |           |                                            |
|---------------------------------|-------------|-------|-------|-------|-------|-----------|--------------------------------------------|
|  77. Разработка технологии      |     106     |       |  25   |  44   |  37   |           | создание базовой пленочной технологии      |
|      выращивания слоев          |     ---     |       |  --   |  --   |  --   |           | пьезокерамических элементов, совместимой   |
|      пьезокерамики на           |      69     |       |  17   |  28   |  24   |           | с комплементарной металло-оксидной         |
|      кремниевых подложках для   |             |       |       |       |       |           | полупроводниковой технологией для          |
|      формирования               |             |       |       |       |       |           | разработки нового класса активных          |
|      комплексированных          |             |       |       |       |       |           | пьезокерамических устройств,               |
|      устройств микросистемной   |             |       |       |       |       |           | интегрированных с микросистемами (2011     |
|      техники                    |             |       |       |       |       |           | год)                                       |
|---------------------------------|-------------|-------|-------|-------|-------|-----------|--------------------------------------------|
|  78. Разработка методологии и   |     57      |  36   |  21   |       |       |           | создание технологии травления и            |
|      базовых технологий         |     --      |  --   |  --   |       |       |           | изготовления кремниевых трехмерных         |
|      создания многослойных      |     38      |  24   |  14   |       |       |           | базовых элементов                          |
|      кремниевых структур с      |             |       |       |       |       |           | микроэлектромеханических систем с          |
|      использованием             |             |       |       |       |       |           | использованием "жертвенных" и "стопорных"  |
|      "жертвенных" и "стопорных" |             |       |       |       |       |           | слоев для серийного производства           |
|      диффузионных и             |             |       |       |       |       |           | элементов микроэлектромеханических систем  |
|      диэлектрических слоев для  |             |       |       |       |       |           | (2009 год) кремниевых структур             |
|      производства силовых       |             |       |       |       |       |           | с использованием силикатных стекол, моно-, |
|      приборов и элементов       |             |       |       |       |       |           | поликристаллического и пористого кремния   |
|      микроэлектромеханических   |             |       |       |       |       |           | и диоксида кремния                         |
|      систем                     |             |       |       |       |       |           |                                            |
|---------------------------------|-------------|-------|-------|-------|-------|-----------|--------------------------------------------|

Страницы: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  



Печать
РАЗМЕСТИТЬ БЕСПЛАТНО:

2003 - 2020 © НДП "Альянс Медиа"
Рейтинг@Mail.ruRambler's Top100