ИННОВАЦИИ И ПРЕДПРИНИМАТЕЛЬСТВО: ГРАНТЫ, ТЕХНОЛОГИИ, ПАТЕНТЫ
innovbusiness.ru

Печать

Страницы: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  


|  79. Разработка базовых         |     105     |       |       |  61   |  44   |           | создание технологии получения алмазных     |
|      технологий получения       |     ---     |       |       |  --   |  --   |           | полупроводниковых наноструктур и           |
|      алмазных полупроводниковых |      70     |       |       |  41   |  29   |           | наноразмерных органических покрытий,       |
|      наноструктур и             |             |       |       |       |       |           | алмазных полупроводящих пленок для         |
|      наноразмерных органических |             |       |       |       |       |           | конкурентоспособных высокотемпературных и  |
|      покрытий с широким         |             |       |       |       |       |           | радиационно стойких устройств и приборов   |
|      диапазоном функциональных  |             |       |       |       |       |           | двойного назначения (2011 год)             |
|      свойств                    |             |       |       |       |       |           |                                            |
|---------------------------------|-------------|-------|-------|-------|-------|-----------|--------------------------------------------|
|  80. Исследование и разработка  |     141     |  57   |  84   |       |       |           | создание технологии изготовления           |
|      технологии роста           |     ---     |  --   |  --   |       |       |           | гетероструктур и эпитаксиальных структур   |
|      эпитаксиальных слоев       |      93     |  38   |  55   |       |       |           | на основе нитридов для создания            |
|      карбида кремния, структур  |             |       |       |       |       |           | радиационно стойких сверхвысокочастотных   |
|      на основе нитридов, а      |             |       |       |       |       |           | и силовых приборов нового поколения        |
|      также формирования         |             |       |       |       |       |           | (2009 год)                                 |
|      изолирующих и              |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      коммутирующих слоев в      |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      приборах экстремальной     |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      электроники                |             |       |       |       |       |           |                                            |
|---------------------------------|-------------|-------|-------|-------|-------|-----------|--------------------------------------------|
|  81. Разработка технологии      |     160     |  52   | 108   |       |       |           | создание технологии производства структур  |
|      производства радиационно   |     ---     |  --   | ---   |       |       |           | "кремний на сапфире" диаметром до 150 мм   |
|      стойких сверхбольших       |      90     |  35   |  55   |       |       |           | с толщиной приборного слоя до 0,1 мкм и    |
|      интегральных схем на       |             |       |       |       |       |           | топологическими нормами до 0,18 мкм для    |
|      ультратонких               |             |       |       |       |       |           | производства электронной компонентной      |
|      гетероэпитаксиальных       |             |       |       |       |       |           | базы специального и двойного назначения    |
|      структурах кремния на      |             |       |       |       |       |           | (2009 год)                                 |
|      сапфировой подложке для    |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      производства электронной   |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      компонентной базы          |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      специального и двойного    |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      назначения                 |             |       |       |       |       |           |                                            |
|---------------------------------|-------------|-------|-------|-------|-------|-----------|--------------------------------------------|
|  82. Разработка технологии      |     146     |  54   |  92   |       |       |           | создание технологии производства           |
|      производства высокоомного  |     ---     |  --   |  --   |       |       |           | радиационно облученного кремния и пластин  |
|      радиационно облученного    |     96      |  36   |  60   |       |       |           | кремния до 150 мм для выпуска мощных       |
|      кремния, слитков и пластин |             |       |       |       |       |           | транзисторов и сильноточных тиристоров     |
|      кремния диаметром до 150   |             |       |       |       |       |           | нового поколения (2009 год)                |
|      мм для производства        |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      силовых полупроводниковых  |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      приборов                   |             |       |       |       |       |           |                                            |
|---------------------------------|-------------|-------|-------|-------|-------|-----------|--------------------------------------------|
|  83. Разработка технологии      |     92      |  36   |  56   |       |       |           | разработка и промышленное освоение         |
|      производства кремниевых    |     --      |  --   |  --   |       |       |           | получения высококачественных подложек и    |
|      подложек и структур для    |     63      |  24   |  39   |       |       |           | структур для использования в производстве  |
|      силовых полупроводниковых  |             |       |       |       |       |           | силовых полупроводниковых приборов, с      |
|      приборов с глубокими       |             |       |       |       |       |           | глубокими высоколегированными слоями и     |
|      высоколегированными слоями |             |       |       |       |       |           | скрытыми слоями носителей с повышенной     |
|      p- и n-типов проводимости  |             |       |       |       |       |           | рекомбинацией (2009 год)                   |
|      и скрытыми слоями          |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      носителей с повышенной     |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      рекомбинацией              |             |       |       |       |       |           |                                            |
|---------------------------------|-------------|-------|-------|-------|-------|-----------|--------------------------------------------|
|  84. Разработка технологии      |     216     |  72   | 144   |       |       |           | создание технологии производства пластин   |
|      производства электронного  |     ---     |  --   | ---   |       |       |           | кремния диаметром до 200 мм и              |
|      кремния, кремниевых        |     162     |  48   | 114   |       |       |           | эпитаксиальных структур уровня 0,25 -      |
|      пластин диаметром          |             |       |       |       |       |           | 0,18 мкм (2009 год)                        |
|      до 200 мм и кремниевых     |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      эпитаксиальных структур    |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      уровня технологии          |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      0,25 - 0,18 мкм            |             |       |       |       |       |           |                                            |
|---------------------------------|-------------|-------|-------|-------|-------|-----------|--------------------------------------------|
|  85. Разработка методологии,    |     232     |       |       | 109   | 123   |           | разработка технологии корпусирования       |
|      конструктивно-технических  |     ---     |       |       | ---   | ---   |           | интегральных схем и полупроводниковых      |
|      решений и перспективной    |     161     |       |       |  78   |  83   |           | приборов на основе использования           |
|      базовой технологии         |             |       |       |       |       |           | многослойных кремниевых структур со        |
|      корпусирования             |             |       |       |       |       |           | сквозными токопроводящими каналами,        |
|      интегральных схем и        |             |       |       |       |       |           | обеспечивающей сокращение состава          |
|      полупроводниковых приборов |             |       |       |       |       |           | сборочных операций и формирование          |
|      на основе использования    |             |       |       |       |       |           | трехмерных структур (2010 год, 2011 год)   |
|      многослойных кремниевых    |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      структур со сквозными      |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      токопроводящими каналами   |             |       |       |       |       |           |                                            |
|---------------------------------|-------------|-------|-------|-------|-------|-----------|--------------------------------------------|
|  86. Разработка технологии      |     220     |       |       |  85   |  135  |           | создание базовой технологии производства   |
|      производства               |     ---     |       |       |  --   |  ---  |           | гетероструктур SiGe для выпуска            |
|      гетероструктур SiGe для    |     143     |       |       |  53   |   90  |           | быстродействующих сверхбольших             |
|      разработки сверхбольших    |             |       |       |       |       |           | интегральных схем с топологическими        |
|      интегральных схем с        |             |       |       |       |       |           | нормами 0,25 - 0,18 мкм (2010 год, 2011    |
|      топологическими нормами    |             |       |       |       |       |           | год)                                       |
|      0,25 - 0,18 мкм            |             |       |       |       |       |           |                                            |
|---------------------------------|-------------|-------|-------|-------|-------|-----------|--------------------------------------------|
|  87. Разработка технологии      |     46      |  28   |  18   |       |       |           | создание технологии выращивания и          |
|      выращивания и обработки, в |     --      |  --   |  --   |       |       |           | обработки пьезоэлектрических материалов    |
|      том числе                  |     34      |  22   |  12   |       |       |           | акустоэлектроники и акустооптики для       |
|      плазмохимической, новых    |             |       |       |       |       |           | обеспечения производства широкой           |
|      пьезоэлектрических         |             |       |       |       |       |           | номенклатуры акустоэлектронных устройств   |
|      материалов для             |             |       |       |       |       |           | нового поколения (2009 год)                |
|      акустоэлектроники и        |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      акустооптики               |             |       |       |       |       |           |                                            |
|---------------------------------|-------------|-------|-------|-------|-------|-----------|--------------------------------------------|
|  88. Разработка технологий      |     87      |       |       |  32   |  55   |           | создание технологии массового              |
|      производства               |     --      |       |       |  --   |  --   |           | производства исходных материалов и         |
|      соединений A B  и тройных  |     58      |       |       |  22   |  36   |           | структур для перспективных приборов        |
|                  3 5            |             |       |       |       |       |           | лазерной и оптоэлектронной техники, в том  |
|      структур для:              |             |       |       |       |       |           | числе:                                     |
|      производства сверхмощных   |             |       |       |       |       |           | производства сверхмощных лазерных диодов   |
|      лазерных диодов;           |             |       |       |       |       |           | (2010 год);                                |
|      высокоэффективных          |             |       |       |       |       |           | высокоэффективных светодиодов белого,      |
|      светодиодов белого,        |             |       |       |       |       |           | зеленого, синего и ультрафиолетового       |
|      зеленого, синего и         |             |       |       |       |       |           | диапазонов (2011 год);                     |
|      ультрафиолетового          |             |       |       |       |       |           | фотоприемников среднего инфракрасного      |
|      диапазонов;                |             |       |       |       |       |           | диапазона (2011 год)                       |
|      фотоприемников среднего    |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      инфракрасного диапазона    |             |       |       |       |       |           |                                            |
|---------------------------------|-------------|-------|-------|-------|-------|-----------|--------------------------------------------|
|  89. Исследование и разработка  |     48      |  30   |  18   |       |       |           | создание технологии производства           |
|      технологии получения       |     --      |  --   |  --   |       |       |           | принципиально новых материалов             |
|      гетероструктур с           |     33      |  22   |  11   |       |       |           | полупроводниковой электроники на основе    |
|      вертикальными оптическими  |             |       |       |       |       |           | сложных композиций для перспективных       |
|      резонаторами на основе     |             |       |       |       |       |           | приборов лазерной и оптоэлектронной        |
|      квантовых ям и квантовых   |             |       |       |       |       |           | техники (2009 год)                         |
|      точек для производства     |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      вертикально излучающих     |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      лазеров для устройств      |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      передачи информации и      |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      матриц для оптоэлектронных |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      переключателей нового      |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      поколения                  |             |       |       |       |       |           |                                            |
|---------------------------------|-------------|-------|-------|-------|-------|-----------|--------------------------------------------|
|  90. Разработка технологии      |     86      |       |       |  32   |  54   |           | создание технологии производства           |
|      производства современных   |     --      |       |       |  --   |  --   |           | компонентов для специализированных         |
|      компонентов для            |     57      |       |       |  22   |  35   |           | электронно-лучевых (2010 год),             |
|      специализированных         |             |       |       |       |       |           | электронно-оптических и отклоняющих        |
|      фотоэлектронных приборов,  |             |       |       |       |       |           | систем (2010 год),                         |
|      в том числе:               |             |       |       |       |       |           | стеклооболочек и деталей из                |
|        катодов и                |             |       |       |       |       |           | электровакуумного стекла различных марок   |
|      газопоглотителей;          |             |       |       |       |       |           | (2011 год)                                 |
|        электронно-оптических и  |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      отклоняющих систем;        |             |       |       |       |       |           |                                            |
|        стеклооболочек и деталей |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      из электровакуумного       |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      стекла различных марок     |             |       |       |       |       |           |                                            |
|---------------------------------|-------------|-------|-------|-------|-------|-----------|--------------------------------------------|
|  91. Разработка технологии      |     47      |  30   |  17   |       |       |           | создание технологии производства особо     |
|      производства особо тонких  |     --      |  --   |  --   |       |       |           | тонких гетерированных нанопримесями        |
|      гетерированных             |     32      |  20   |  12   |       |       |           | полупроводниковых структур для             |
|      нанопримесями              |             |       |       |       |       |           | изготовления высокоэффективных             |
|      полупроводниковых структур |             |       |       |       |       |           | фотокатодов электронно-оптических          |
|      для высокоэффективных      |             |       |       |       |       |           | преобразователей и фотоэлектронных         |
|      фотокатодов, электронно-   |             |       |       |       |       |           | умножителей, приемников инфракрасного      |
|      оптических                 |             |       |       |       |       |           | диапазона, солнечных элементов и других    |
|      преобразователей и         |             |       |       |       |       |           | приложений (2009 год)                      |
|      фотоэлектронных            |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      умножителей, приемников    |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      инфракрасного диапазона и  |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      солнечных элементов с      |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      высокими значениями        |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      коэффициента полезного     |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      действия                   |             |       |       |       |       |           |                                            |
|---------------------------------|-------------|-------|-------|-------|-------|-----------|--------------------------------------------|
|  92. Разработка базовой         |     85      |       |       |  32   |  53   |           | создание технологии монокристаллов AlN     |
|      технологии производства    |     --      |       |       |  --   |  --   |           | для изготовления изолирующих и проводящих  |
|      монокристаллов AlN для     |     58      |       |       |  22   |  36   |           | подложек для создания полупроводниковых    |
|      изготовления изолирующих и |             |       |       |       |       |           | высокотемпературных и мощных               |
|      проводящих подложек для    |             |       |       |       |       |           | сверхвысокочастотных приборов нового       |
|      гетероструктур             |             |       |       |       |       |           | поколения (2011 год)                       |
|---------------------------------|-------------|-------|-------|-------|-------|-----------|--------------------------------------------|
|  93. Разработка базовой         |     47      |  30   |  17   |       |       |           | создание базовой технологии вакуумно-      |
|      технологии производства    |     --      |  --   |  --   |       |       |           | плотной спецстойкой керамики из            |
|      наноструктурированных      |     32      |  20   |  12   |       |       |           | нанокристаллических порошков и нитридов    |
|      оксидов металлов (корунда  |             |       |       |       |       |           | металлов для промышленного освоения        |
|      и т.п.) для производства   |             |       |       |       |       |           | спецстойких приборов нового поколения      |
|      вакуумно-плотной           |             |       |       |       |       |           | (2009 год), в том числе микрочипов,        |
|      нанокерамики, в том числе  |             |       |       |       |       |           | сверхвысокочастотных аттенюаторов, RLC-    |
|      с заданными оптическими    |             |       |       |       |       |           | матриц, а также особо прочной электронной  |
|      свойствами                 |             |       |       |       |       |           | компонентной базы оптоэлектроники и        |
|                                 |             |       |       |       |       |           | фотоники                                   |
|---------------------------------|-------------|-------|-------|-------|-------|-----------|--------------------------------------------|
|  94. Разработка базовой         |     86      |       |       |  33   |  53   |           | создание технологии производства           |
|      технологии производства    |     --      |       |       |  --   |  --   |           | полимерных и композиционных материалов с   |
|      полимерных и гибридных     |     58      |       |       |  21   |  37   |           | использованием поверхностной и объемной    |
|      органо-неорганических      |             |       |       |       |       |           | модификации полимеров                      |
|      наноструктурированных      |             |       |       |       |       |           | наноструктурированными наполнителями для   |
|      защитных материалов для    |             |       |       |       |       |           | создания изделий с высокой механической,   |
|      электронных компонентов    |             |       |       |       |       |           | термической и радиационной стойкостью при  |
|      нового поколения           |             |       |       |       |       |           | работе в условиях длительной эксплуатации  |
|      прецизионных и             |             |       |       |       |       |           | и воздействии комплекса специальных        |
|      сверхвысокочастотных       |             |       |       |       |       |           | внешних факторов (2011 год)                |
|      резисторов, терминаторов,  |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      аттенюаторов и резисторно- |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      индукционно-емкостных      |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      матриц, стойких к          |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      воздействию комплекса      |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      специальных внешних        |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      факторов                   |             |       |       |       |       |           |                                            |
|---------------------------------|-------------|-------|-------|-------|-------|-----------|--------------------------------------------|
|  95. Исследование и разработка  |    1395     |       |       |       |       |    1395   | создание базовой технологии производства   |
|      перспективных              |    ----     |       |       |       |       |    ----   | гетероструктур, структур и псевдоморфных   |
|      гетероструктурных и        |     930     |       |       |       |       |     930   | структур на подложках InP для              |
|      наноструктурированных      |             |       |       |       |       |           | перспективных полупроводниковых приборов   |
|      материалов с               |             |       |       |       |       |           | и сверхвысокочастотных монолитных          |
|      экстремальными             |             |       |       |       |       |           | интегральных схем диапазона 60 - 90 ГГц    |
|      характеристиками для       |             |       |       |       |       |           | (2012 год), создание технологии получения  |
|      перспективных электронных  |             |       |       |       |       |           | алмазных полупроводниковых наноструктур и  |
|      приборов и                 |             |       |       |       |       |           | наноразмерных органических покрытий (2013  |
|      радиоэлектронной           |             |       |       |       |       |           | год), алмазных полупроводящих пленок для   |
|      аппаратуры специального    |             |       |       |       |       |           | конкурентоспособных высокотемпературных и  |
|      назначения                 |             |       |       |       |       |           | радиационно стойких устройств и приборов   |
|                                 |             |       |       |       |       |           | двойного назначения, создание технологии   |
|                                 |             |       |       |       |       |           | изготовления гетероструктур и              |
|                                 |             |       |       |       |       |           | эпитаксиальных структур на основе          |
|                                 |             |       |       |       |       |           | нитридов (2015 год)                        |
|---------------------------------|-------------|-------|-------|-------|-------|-----------|--------------------------------------------|
|  96. Исследование и разработка  |    1395     |       |       |       |       |    1395   | создание нового класса конструкционных и   |
|      экологически чистых        |    ----     |       |       |       |       |    ----   | технологических материалов для уровней     |
|      материалов и методов их    |     930     |       |       |       |       |     930   | технологии 0,065 - 0,032 мкм и             |
|      использования в            |             |       |       |       |       |           | обеспечения высокого процента выхода       |
|      производстве электронной   |             |       |       |       |       |           | годных изделий, экологических требований   |
|      компонентной базы и        |             |       |       |       |       |           | по международным стандартам (2012 год,     |
|      радиоаппаратуры, включая   |             |       |       |       |       |           | 2015 год)                                  |
|      бессвинцовые композиции    |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      для сборки                 |             |       |       |       |       |           |                                            |
|---------------------------------|-------------|-------|-------|-------|-------|-----------|--------------------------------------------|
|  97. Разработка перспективных   |    1380     |       |       |       |       |    1380   | создание перспективных технологий          |
|      технологий получения       |    ----     |       |       |       |       |    ----   | производства компонентов для               |
|      ленточных материалов       |     920     |       |       |       |       |     920   | специализированных электронно-лучевых,     |
|      (полимерные,               |             |       |       |       |       |           | электронно-оптических и отклоняющих        |
|      металлические,             |             |       |       |       |       |           | систем, стеклооболочек и деталей из        |
|      плакированные и другие)    |             |       |       |       |       |           | электровакуумного стекла различных марок   |
|      для радиоэлектронной       |             |       |       |       |       |           | (2013 год), создание технологии            |
|      аппаратуры и сборочных     |             |       |       |       |       |           | производства полимерных и композиционных   |
|      операций электронной       |             |       |       |       |       |           | материалов с использованием поверхностной  |
|      компонентной базы          |             |       |       |       |       |           | и объемной модификации полимеров           |
|                                 |             |       |       |       |       |           | наноструктурированными наполнителями       |
|                                 |             |       |       |       |       |           | (2015 год)                                 |
|---------------------------------|-------------|-------|-------|-------|-------|-----------|--------------------------------------------|
|      Всего по направлению 5     |    6864     |  612  | 702   | 663   | 717   |   4170    |                                            |
|                                 |    ----     |  ---  | ---   | ---   | ---   |   ----    |                                            |
|                                 |    4576     |  408  | 468   | 442   | 478   |   2780    |                                            |
|----------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------|
|                                Направление 6. Группы пассивной электронной компонентной базы                                           |
|----------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------|
|  98. Разработка технологии      |     33      |  18   |  15   |       |       |           | разработка расширенного ряда резонаторов   |
|      выпуска прецизионных       |     --      |  --   |  --   |       |       |           | с повышенной кратковременной и             |
|      температуростабильных      |     22      |  12   |  10   |       |       |           | долговременной стабильностью для создания  |
|      высокочастотных            |             |       |       |       |       |           | контрольной аппаратуры и техники связи     |
|      до 1,5 - 2 ГГц резонаторов |             |       |       |       |       |           | двойного назначения                        |
|      на поверхностно            |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      акустических волнах до 1,5 |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      ГГц с полосой до 70        |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      процентов и длительностью  |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      сжатого сигнала до 2 - 5   |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      нс                         |             |       |       |       |       |           |                                            |
|---------------------------------|-------------|-------|-------|-------|-------|-----------|--------------------------------------------|
|  99. Разработка в лицензируемых |     120     |       |  21   |  48   |  51   |           | создание технологии и конструкции          |
|      и нелицензируемых          |     ---     |       |  --   |  --   |  --   |           | акустоэлектронных пассивных и активных     |
|      международных частотных    |      80     |       |  14   |  32   |  34   |           | меток-транспондеров для применения в       |
|      диапазонах 860 МГц и 2,45  |             |       |       |       |       |           | логистических приложениях на транспорте,   |
|      ГГц ряда радиочастотных    |             |       |       |       |       |           | в торговле и промышленности (2010 год,     |
|      пассивных и активных       |             |       |       |       |       |           | 2011 год)                                  |
|      акустоэлектронных меток-   |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      транспондеров, в том числе |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      работающих в реальной      |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      помеховой обстановке, для  |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      систем радиочастотной      |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      идентификации и систем     |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      управления доступом        |             |       |       |       |       |           |                                            |
|---------------------------------|-------------|-------|-------|-------|-------|-----------|--------------------------------------------|
| 100. Разработка базовой         |     32      |  17   |  15   |       |       |           | создание технологии проектирования и       |
|      конструкции и промышленной |     --      |  --   |  --   |       |       |           | базовых конструкций пьезоэлектрических     |
|      технологии производства    |     21      |  11   |  10   |       |       |           | фильтров в малогабаритных корпусах для     |
|      пьезокерамических фильтров |             |       |       |       |       |           | поверхностного монтажа при изготовлении    |
|      в корпусах для             |             |       |       |       |       |           | техники связи массового применения (2009   |
|      поверхностного монтажа     |             |       |       |       |       |           | год)                                       |
|---------------------------------|-------------|-------|-------|-------|-------|-----------|--------------------------------------------|
| 101. Разработка технологии      |     39      |  39   |       |       |       |           | создание базовой технологии                |
|      проектирования, базовой    |     --      |  --   |       |       |       |           | акустоэлектронных приборов для             |
|      технологии производства и  |     26      |  26   |       |       |       |           | перспективных систем связи, измерительной  |
|      конструирования            |             |       |       |       |       |           | и навигационной аппаратуры нового          |
|      акустоэлектронных          |             |       |       |       |       |           | поколения - подвижных, спутниковых,        |
|      устройств нового поколения |             |       |       |       |       |           | тропосферных и радиорелейных линий связи,  |
|      и фильтров промежуточной   |             |       |       |       |       |           | цифрового интерактивного телевидения,      |
|      частоты с высокими         |             |       |       |       |       |           | радиоизмерительной аппаратуры,             |
|      характеристиками для       |             |       |       |       |       |           | радиолокационных станций, спутниковых      |
|      современных систем связи,  |             |       |       |       |       |           | навигационных систем (2008 год)            |
|      включая                    |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      высокоизбирательные        |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      высокочастотные устройства |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      частотной селекции на      |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      поверхностных и            |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      приповерхностных волнах и  |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      волнах Гуляева-Блюштейна с |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      предельно низким уровнем   |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      вносимого затухания для    |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      частотного диапазона до 5  |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      ГГц                        |             |       |       |       |       |           |                                            |
|---------------------------------|-------------|-------|-------|-------|-------|-----------|--------------------------------------------|
| 102. Разработка технологии      |     96      |       |  33   |  63   |       |           | создание технологии производства           |
|      проектирования и базовой   |     --      |       |  --   |  --   |       |           | высокоинтегрированной электронной          |
|      технологии производства    |     64      |       |  22   |  42   |       |           | компонентной базы типа "система в          |
|      функциональных законченных |             |       |       |       |       |           | корпусе" для вновь разрабатываемых и       |
|      устройств стабилизации,    |             |       |       |       |       |           | модернизируемых сложных радиоэлектронных   |
|      селекции частоты и         |             |       |       |       |       |           | систем и комплексов (2010 год)             |
|      обработки сигналов типа    |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      "система в корпусе"        |             |       |       |       |       |           |                                            |
|---------------------------------|-------------|-------|-------|-------|-------|-----------|--------------------------------------------|
| 103. Разработка базовой         |     69      |       |       |  48   |  21   |           | создание базовой технологии (2010 год) и   |
|      конструкции и технологии   |     --      |       |       |  --   |  --   |           | базовой конструкции микроминиатюрных       |
|      изготовления               |     46      |       |       |  32   |  14   |           | высокодобротных фильтров для               |
|      высокочастотных            |             |       |       |       |       |           | малогабаритной и носимой аппаратуры        |
|      резонаторов и фильтров на  |             |       |       |       |       |           | навигации и связи                          |
|      объемных акустических      |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      волнах для                 |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      телекоммуникационных и     |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      навигационных систем       |             |       |       |       |       |           |                                            |
|---------------------------------|-------------|-------|-------|-------|-------|-----------|--------------------------------------------|
| 104. Разработка технологии и    |     30      |  30   |       |       |       |           | создание нового поколения оптоэлектронных  |
|      базовой конструкции        |     --      |  --   |       |       |       |           | приборов для обеспечения задач             |
|      фоточувствительных         |     20      |  20   |       |       |       |           | предотвращения аварий и контроля           |
|      приборов с матричными      |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      приемниками высокого       |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      разрешения для видимого и  |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      ближнего инфракрасного     |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      диапазона для аппаратуры   |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      контроля изображений       |             |       |       |       |       |           |                                            |
|---------------------------------|-------------|-------|-------|-------|-------|-----------|--------------------------------------------|
| 105. Разработка базовой         |     37      |  16   |  21   |       |       |           | создание базовой технологии нового         |
|      технологии унифицированных |     --      |  --   |  --   |       |       |           | поколения приборов контроля тепловых       |
|      электронно-оптических      |     24      |  10   |  14   |       |       |           | полей для задач теплоэнергетики,           |
|      преобразователей,          |             |       |       |       |       |           | медицины, поисковой и контрольной          |
|      микроканальных пластин,    |             |       |       |       |       |           | аппаратуры на транспорте,                  |
|      пироэлектрических матриц и |             |       |       |       |       |           | продуктопроводах и в охранных системах     |
|      камер на их основе с       |             |       |       |       |       |           | (2009 год)                                 |
|      чувствительностью до 0,1 К |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      и широкого инфракрасного   |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      диапазона                  |             |       |       |       |       |           |                                            |
|---------------------------------|-------------|-------|-------|-------|-------|-----------|--------------------------------------------|
| 106. Разработка базовой         |     84      |  45   |  39   |       |       |           | создание базовой технологии (2008 год) и   |
|      технологии создания        |     --      |  --   |  --   |       |       |           | конструкции новых типов приборов,          |
|      интегрированных гибридных  |     55      |  30   |  25   |       |       |           | сочетающих фотоэлектронные и               |
|      фотоэлектронных            |             |       |       |       |       |           | твердотельные технологии, с целью          |
|      высокочувствительных и     |             |       |       |       |       |           | получения экстремально достижимых          |
|      высокоразрешающих приборов |             |       |       |       |       |           | характеристик для задач контроля и         |
|      и усилителей для задач     |             |       |       |       |       |           | наблюдения в системах двойного назначения  |
|      космического мониторинга и |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      специальных систем         |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      наблюдения, научной и      |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      метрологической аппаратуры |             |       |       |       |       |           |                                            |
|---------------------------------|-------------|-------|-------|-------|-------|-----------|--------------------------------------------|
| 107. Разработка базовых         |     96      |  45   |  51   |       |       |           | создание базовой технологии (2008 год) и   |
|      технологий мощных          |     --      |  --   |  --   |       |       |           | конструкций принципиально новых мощных     |
|      полупроводниковых лазерных |     64      |  30   |  34   |       |       |           | диодных лазеров, предназначенных для       |
|      диодов (непрерывного и     |             |       |       |       |       |           | широкого применения в изделиях двойного    |
|      импульсного излучения),    |             |       |       |       |       |           | назначения, медицины, полиграфического     |
|      специализированных         |             |       |       |       |       |           | оборудования и системах открытой           |
|      лазерных полупроводниковых |             |       |       |       |       |           | оптической связи                           |
|      диодов, фотодиодов и       |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      лазерных волоконно-        |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      оптических модулей для     |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      создания аппаратуры и      |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      систем нового поколения    |             |       |       |       |       |           |                                            |
|---------------------------------|-------------|-------|-------|-------|-------|-----------|--------------------------------------------|
| 108. Разработка и освоение      |     98      |       |  15   |  60   |  23   |           | разработка базового комплекта основных     |
|      базовых технологий для     |     --      |       |  --   |  --   |  --   |           | оптоэлектронных компонентов для лазерных   |
|      лазерных навигационных     |     65      |       |  10   |  40   |  15   |           | гироскопов широкого применения (2010       |
|      приборов, включая          |             |       |       |       |       |           | год), создание комплекса технологий        |
|      интегральный оптический    |             |       |       |       |       |           | обработки и формирования структурных и     |
|      модуль лазерного гироскопа |             |       |       |       |       |           | приборных элементов, оборудования          |
|      на базе                    |             |       |       |       |       |           | контроля и аттестации, обеспечивающих      |
|      сверхмалогабаритных        |             |       |       |       |       |           | новый уровень технико-экономических        |
|      кольцевых                  |             |       |       |       |       |           | показателей производства                   |
|      полупроводниковых лазеров  |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      инфракрасного диапазона,   |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      оптоэлектронные компоненты |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      для широкого класса        |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      инерциальных лазерных      |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      систем управления          |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      движением гражданских и    |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      специальных средств        |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      транспорта                 |             |       |       |       |       |           |                                            |
|---------------------------------|-------------|-------|-------|-------|-------|-----------|--------------------------------------------|
| 109. Разработка базовых         |     47      |  22   |  25   |       |       |           | создание базовой технологии твердотельных  |
|      конструкций и технологий   |     --      |  --   |  --   |       |       |           | чип-лазеров для лазерных дальномеров,      |
|      создания квантово-         |     32      |  15   |  17   |       |       |           | твердотельных лазеров с пикосекундными     |
|      электронных приемо-        |             |       |       |       |       |           | длительностями импульсов для установок по  |
|      передающих модулей для     |             |       |       |       |       |           | прецизионной обработке композитных         |
|      малогабаритных лазерных    |             |       |       |       |       |           | материалов, для создания элементов и       |
|      дальномеров нового         |             |       |       |       |       |           | изделий микромашиностроения и в            |
|      поколения на основе        |             |       |       |       |       |           | производстве электронной компонентной      |
|      твердотельных чип-лазеров  |             |       |       |       |       |           | базы нового поколения, мощных лазеров для  |
|      с полупроводниковой        |             |       |       |       |       |           | применения в машиностроении,               |
|      накачкой, технологических  |             |       |       |       |       |           | авиастроении, автомобилестроении,          |
|      лазерных установок         |             |       |       |       |       |           | судостроении, в составе промышленных       |
|      широкого спектрального     |             |       |       |       |       |           | технологических установок обработки и      |
|      диапазона                  |             |       |       |       |       |           | сборки, систем экологического мониторинга  |
|                                 |             |       |       |       |       |           | окружающей среды, контроля выбросов        |
|                                 |             |       |       |       |       |           | патогенных веществ, контроля утечек в      |
|                                 |             |       |       |       |       |           | продуктопроводах (2008 год, 2009 год)      |
|---------------------------------|-------------|-------|-------|-------|-------|-----------|--------------------------------------------|
| 110. Разработка базовых         |     67      |  55   |  12   |       |       |           | создание технологии получения              |
|      технологий формирования    |     --      |  --   |  --   |       |       |           | широкоапертурных элементов на основе       |
|      конструктивных узлов и     |     45      |  37   |   8   |       |       |           | алюмоиттриевой легированной керамики       |
|      блоков для лазеров нового  |             |       |       |       |       |           | композитных составов для лазеров с         |
|      поколения и технологии     |             |       |       |       |       |           | диодной накачкой (2008 год),               |
|      создания полного комплекта |             |       |       |       |       |           | высокоэффективных преобразователей         |
|      электронной компонентной   |             |       |       |       |       |           | частоты лазерного излучения, организация   |
|      базы для производства      |             |       |       |       |       |           | промышленного выпуска оптических изделий   |
|      лазерного устройства       |             |       |       |       |       |           | и лазерных элементов широкой номенклатуры  |
|      определения наличия        |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      опасных, взрывчатых,       |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      отравляющих и              |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      наркотических веществ в    |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      контролируемом             |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      пространстве               |             |       |       |       |       |           |                                            |
|---------------------------------|-------------|-------|-------|-------|-------|-----------|--------------------------------------------|
| 111. Разработка базовых         |     52      |  25   |  27   |       |       |           | разработка расширенной серии               |
|      технологий, базовой        |     --      |  --   |  --   |       |       |           | низковольтных катодолюминесцентных и       |
|      конструкции и организация  |     35      |  17   |  18   |       |       |           | других дисплеев с широким диапазоном       |
|      производства               |             |       |       |       |       |           | эргономических характеристик и свойств по  |
|      интегрированных            |             |       |       |       |       |           | условиям применения для информационных и   |
|      катодолюминесцентных и     |             |       |       |       |       |           | контрольных систем                         |
|      других дисплеев двойного   |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      назначения со встроенным   |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      микроэлектронным           |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      управлением                |             |       |       |       |       |           |                                            |
|---------------------------------|-------------|-------|-------|-------|-------|-----------|--------------------------------------------|
| 112. Разработка технологии и    |     45      |  24   |  21   |       |       |           | создание ряда принципиально новых          |
|      базовых конструкций        |     --      |  --   |  --   |       |       |           | светоизлучающих приборов с минимальными    |
|      высокояркостных            |     30      |  16   |  14   |       |       |           | геометрическими размерами, высокой         |
|      светодиодов и индикаторов  |             |       |       |       |       |           | надежностью и устойчивостью к              |
|      основных цветов свечения   |             |       |       |       |       |           | механическим и климатическим               |
|      для систем подсветки в     |             |       |       |       |       |           | воздействиям, обеспечивающих               |
|      приборах нового поколения  |             |       |       |       |       |           | энергосбережение за счет замены ламп       |
|                                 |             |       |       |       |       |           | накаливания в системах подсветки           |
|                                 |             |       |       |       |       |           | аппаратуры и освещения                     |
|---------------------------------|-------------|-------|-------|-------|-------|-----------|--------------------------------------------|
| 113. Разработка базовой         |     90      |       |  15   |  57   |  18   |           | создание базовой технологии производства   |
|      технологии и конструкции   |     --      |       |  --   |  --   |  --   |           | нового поколения оптоэлектронной           |
|      оптоэлектронных приборов   |     60      |       |  10   |  38   |  12   |           | высокоэффективной и надежной электронной   |
|      (оптроны, оптореле,        |             |       |       |       |       |           | компонентной базы для промышленного        |
|      светодиоды) в миниатюрных  |             |       |       |       |       |           | оборудования и систем связи (2010 год,     |
|      корпусах для               |             |       |       |       |       |           | 2011 год)                                  |
|      поверхностного монтажа     |             |       |       |       |       |           |                                            |
|---------------------------------|-------------|-------|-------|-------|-------|-----------|--------------------------------------------|
| 114. Разработка                 |     51      |  24   |  27   |       |       |           | создание технологии новых классов носимой  |
|      схемотехнических решений и |     --      |  --   |  --   |       |       |           | и стационарной аппаратуры, экранов         |
|      унифицированных базовых    |     34      |  16   |  18   |       |       |           | отображения информации коллективного       |
|      конструкций и технологий   |             |       |       |       |       |           | пользования повышенных емкости и формата   |
|      формирования твердотельных |             |       |       |       |       |           | (2009 год)                                 |
|      видеомодулей на            |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      полупроводниковых          |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      светоизлучающих структурах |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      для носимой аппаратуры,    |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      экранов индивидуального и  |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      коллективного пользования  |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      с бесшовной стыковкой      |             |       |       |       |       |           |                                            |
|---------------------------------|-------------|-------|-------|-------|-------|-----------|--------------------------------------------|
| 115. Разработка базовой         |     60      |  30   |  30   |       |       |           | создание технологии массового              |
|      технологии изготовления    |     --      |  --   |  --   |       |       |           | производства солнечных элементов для       |
|      высокоэффективных          |     40      |  20   |  20   |       |       |           | индивидуального и коллективного            |
|      солнечных элементов на     |             |       |       |       |       |           | использования в труднодоступных районах,   |
|      базе использования         |             |       |       |       |       |           | развития солнечной энергетики в жилищно-   |
|      кремния, полученного по    |             |       |       |       |       |           | коммунальном хозяйстве для обеспечения     |
|      "бесхлоридной" технологии  |             |       |       |       |       |           | задач энергосбережения (2009 год)          |
|      и технологии "литого"      |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      кремния прямоугольного     |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      сечения                    |             |       |       |       |       |           |                                            |
|---------------------------------|-------------|-------|-------|-------|-------|-----------|--------------------------------------------|
| 116. Разработка базовой         |     38      |  18   |  20   |       |       |           | создание технологии массового              |
|      технологии и освоение      |     --      |  --   |  --   |       |       |           | производства нового класса                 |
|      производства               |     25      |  12   |  13   |       |       |           | оптоэлектронных приборов для широкого      |
|      оптоэлектронных реле с     |             |       |       |       |       |           | применения в радиоэлектронной аппаратуре   |
|      повышенными техническими   |             |       |       |       |       |           | (2009 год)                                 |
|      характеристиками для       |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      поверхностного монтажа     |             |       |       |       |       |           |                                            |
|---------------------------------|-------------|-------|-------|-------|-------|-----------|--------------------------------------------|
| 117. Комплексное исследование и |     162     |       |  33   |  99   |  30   |           | создание базовой технологии массового      |
|      разработка технологий      |     ---     |       |  --   |  --   |  --   |           | производства экранов с предельно низкой    |
|      получения новых классов    |     108     |       |  22   |  66   |  20   |           | удельной стоимостью для информационных и   |
|      органических (полимерных)  |             |       |       |       |       |           | обучающих систем (2010 год, 2011 год)      |
|      люминофоров, пленочных     |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      транзисторов на основе     |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      "прозрачных" материалов,   |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      полимерной пленочной       |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      основы и технологий        |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      изготовления               |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      крупноформатных гибких и   |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      особо плоских экранов, в   |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      том числе на базе          |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      высокоразрешающих          |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      процессов струйной печати  |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      и непрерывного процесса    |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      изготовления типа "с       |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      катушки на катушку"        |             |       |       |       |       |           |                                            |
|---------------------------------|-------------|-------|-------|-------|-------|-----------|--------------------------------------------|
| 118. Разработка базовых         |     183     |  45   |  33   | 105   |       |           | создание технологии и конструкции          |
|      конструкций и технологии   |     ---     |  --   |  --   | ---   |       |           | активно-матричных органических             |
|      активных матриц и          |     122     |  30   |  22   |  70   |       |           | электролюминесцентных,                     |
|      драйверов плоских экранов  |             |       |       |       |       |           | жидкокристаллических и                     |
|      на основе аморфных,        |             |       |       |       |       |           | катодолюминесцентных дисплеев, стойких к   |
|      поликристаллических и      |             |       |       |       |       |           | внешним специальным и климатическим        |
|      кристаллических кремниевых |             |       |       |       |       |           | воздействиям (2010 год)                    |
|      интегральных структур на   |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      различных подложках и      |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      создание на их основе      |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      перспективных              |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      видеомодулей, включая      |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      органические               |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      электролюминесцентные,     |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      жидкокристаллические и     |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      катодолюминесцентные,      |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      создание базовой           |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      технологии серийного       |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      производства монолитных    |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      модулей двойного           |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      назначения                 |             |       |       |       |       |           |                                            |
|---------------------------------|-------------|-------|-------|-------|-------|-----------|--------------------------------------------|
| 119. Разработка базовой         |     162     |       |  33   |  99   |  30   |           | создание технологии и базовых конструкций  |
|      конструкции и технологии   |     ---     |       |  --   |  --   |  --   |           | полноцветных газоразрядных видеомодулей    |
|      крупноформатных полно-     |     108     |       |  22   |  66   |  20   |           | специального и двойного назначения для     |
|      цветных газоразрядных      |             |       |       |       |       |           | наборных экранов коллективного             |
|      видеомодулей               |             |       |       |       |       |           | пользования (2010 год)                     |
|---------------------------------|-------------|-------|-------|-------|-------|-----------|--------------------------------------------|
| 120. Разработка технологии      |     72      |  24   |  18   |  30   |       |           | разработка расширенного ряда               |
|      сверхпрецизионных          |     --      |  --   |  --   |  --   |       |           | сверхпрецизионных резисторов, гибридных    |
|      резисторов и гибридных     |     48      |  16   |  12   |  20   |       |           | интегральных схем цифроаналоговых и        |
|      интегральных схем цифро-   |             |       |       |       |       |           | аналого-цифровых преобразователей с        |
|      аналоговых и аналого-      |             |       |       |       |       |           | параметрами, превышающими уровень          |
|      цифровых преобразователей  |             |       |       |       |       |           | существующих отечественных и зарубежных    |
|      на их основе в             |             |       |       |       |       |           | изделий, для аппаратуры связи,             |
|      металлокерамических        |             |       |       |       |       |           | диагностического контроля, медицинского    |
|      корпусах для аппаратуры    |             |       |       |       |       |           | оборудования, авиастроения,                |
|      двойного назначения        |             |       |       |       |       |           | станкостроения, измерительной техники      |
|                                 |             |       |       |       |       |           | (2010 год)                                 |
|---------------------------------|-------------|-------|-------|-------|-------|-----------|--------------------------------------------|
| 121. Разработка базовой         |     105     |       |       |  45   |  60   |           | разработка расширенного ряда               |
|      технологии особо           |     ---     |       |       |  --   |  --   |           | сверхпрецизионных резисторов с повышенной  |
|      стабильных и особо точных  |      70     |       |       |  30   |  40   |           | удельной мощностью рассеяния,              |
|      резисторов широкого        |             |       |       |       |       |           | высоковольтных высокоомных резисторов для  |
|      диапазона сопротивления,   |             |       |       |       |       |           | измерительной техники, приборов ночного    |
|      прецизионных датчиков тока |             |       |       |       |       |           | видения и аппаратуры контроля (2011 год)   |
|      для измерительной и        |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      контрольной аппаратуры и   |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      освоение их производства   |             |       |       |       |       |           |                                            |
|---------------------------------|-------------|-------|-------|-------|-------|-----------|--------------------------------------------|
| 122. Разработка технологии и    |     192     |       |  24   |  78   |  90   |           | создание базовой технологии и конструкции  |
|      базовых конструкций        |     ---     |       |  --   |  --   |  --   |           | резисторов с повышенными значениями        |
|      резисторов и резистивных   |     128     |       |  16   |  52   |  60   |           | стабильности, удельной мощности в чип-     |
|      структур нового поколения  |             |       |       |       |       |           | исполнении на основе многослойных          |
|      для поверхностного         |             |       |       |       |       |           | монолитных структур (2010 год, 2011 год)   |
|      монтажа, в том числе       |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      резисторов с повышенными   |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      характеристиками,          |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      ультранизкоомных           |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      резисторов, малогабаритных |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      подстроечных резисторов,   |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      интегральных сборок серии  |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      нелинейных                 |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      полупроводниковых          |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      резисторов в многослойном  |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      исполнении чип-конструкции |             |       |       |       |       |           |                                            |
|---------------------------------|-------------|-------|-------|-------|-------|-----------|--------------------------------------------|
| 123. Разработка технологий      |     48      |  36   |  12   |       |       |           | создание базовой технологии производства   |
|      формирования               |     --      |  --   |  --   |       |       |           | датчиков на резистивной основе с высокими  |
|      интегрированных            |     32      |  24   |  8    |       |       |           | техническими характеристиками и            |
|      резистивных структур с     |             |       |       |       |       |           | надежностью (2009 год)                     |
|      повышенными технико-       |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      эксплуатационными          |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      характеристиками на основе |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      микроструктурированных     |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      материалов и методов       |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      групповой сборки           |             |       |       |       |       |           |                                            |
|---------------------------------|-------------|-------|-------|-------|-------|-----------|--------------------------------------------|
| 124. Создание групповой         |     60      |  30   |  30   |       |       |           | создание технологии автоматизированного    |
|      технологии                 |     --      |  --   |  --   |       |       |           | производства чип- и микрочип-резисторов    |
|      автоматизированного        |     40      |  20   |  20   |       |       |           | (в габаритах 0402, 0201 и менее) для       |
|      производства               |             |       |       |       |       |           | применения в массовой аппаратуре (2009     |
|      толстопленочных чип- и     |             |       |       |       |       |           | год)                                       |
|      микрочип-резисторов        |             |       |       |       |       |           |                                            |
|---------------------------------|-------------|-------|-------|-------|-------|-----------|--------------------------------------------|
| 125. Разработка новых базовых   |     129     |  24   |  30   |  75   |       |           | создание базовой технологии производства   |
|      технологий и               |     ---     |  --   |  --   |  --   |       |           | конденсаторов с качественно улучшенными    |
|      конструктивных решений     |      86     |  16   |  20   |  50   |       |           | характеристиками с электродами из          |
|      изготовления танталовых    |             |       |       |       |       |           | неблагородных металлов при сохранении      |
|      оксидно-полупроводниковых  |             |       |       |       |       |           | высокого уровня надежности (2010 год)      |
|      и оксидно-                 |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      электролитических          |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      конденсаторов и чип-       |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      конденсаторов и            |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      организация производства   |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      конденсаторов с повышенным |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      удельным зарядом,          |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      сверхнизким значением      |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      внутреннего сопротивления  |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      и улучшенными              |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      потребительскими           |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      характеристиками           |             |       |       |       |       |           |                                            |
|---------------------------------|-------------|-------|-------|-------|-------|-----------|--------------------------------------------|
| 126. Разработка комплексной     |     41      |  20   |  21   |       |       |           | создание базовых технологий конденсаторов  |
|      базовой технологии и       |     --      |  --   |  --   |       |       |           | и ионисторов на основе полимерных          |
|      организация производства   |     27      |  13   |  14   |       |       |           | материалов с повышенным удельным зарядом   |
|      конденсаторов с            |             |       |       |       |       |           | и энергоемких накопительных конденсаторов  |
|      органическим диэлектриком  |             |       |       |       |       |           | с повышенной удельной энергией (2009 год)  |
|      и повышенными удельными    |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      характеристиками и         |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      ионисторов с повышенным    |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      током разряда              |             |       |       |       |       |           |                                            |
|---------------------------------|-------------|-------|-------|-------|-------|-----------|--------------------------------------------|
| 127. Разработка технологии,     |     115     |       |  25   |  60   |  30   |           | создание технологии и базовых конструкций  |
|      базовых конструкций        |     ---     |       |  --   |  --   |  --   |           | нового поколения выключателей для          |
|      высоковольтных             |      77     |       |  17   |  40   |  20   |           | радиоэлектронной аппаратуры с повышенными  |
|      (быстродействующих,        |             |       |       |       |       |           | тактико-техническими характеристиками и    |
|      мощных) вакуумных          |             |       |       |       |       |           | надежностью (2011 год)                     |
|      выключателей нового        |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      поколения с предельными    |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      характеристиками для       |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      радиотехнической           |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      аппаратуры с высокими      |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      сроками службы             |             |       |       |       |       |           |                                            |
|---------------------------------|-------------|-------|-------|-------|-------|-----------|--------------------------------------------|
| 128. Разработка технологий      |     49      |  24   |  25   |       |       |           | создание технологии изготовления           |
|      создания газонаполненных   |     --      |  --   |  --   |       |       |           | коммутирующих устройств для токовой        |
|      высоковольтных             |     33      |  16   |  17   |       |       |           | коммутации цепей в широком диапазоне       |
|      высокочастотных            |             |       |       |       |       |           | напряжений и токов для радиоэлектронных и  |
|      коммутирующих устройств    |             |       |       |       |       |           | электротехнических систем (2009 год)       |
|      для токовой коммутации     |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      цепей с повышенными        |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      техническими               |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      характеристиками           |             |       |       |       |       |           |                                            |
|---------------------------------|-------------|-------|-------|-------|-------|-----------|--------------------------------------------|
| 129. Разработка полного         |     27      |  27   |       |       |       |           | создание технологии выпуска устройств      |
|      комплекта электронной      |     --      |  --   |       |       |       |           | грозозащиты в индивидуальном,              |
|      компонентной базы для      |     18      |  18   |       |       |       |           | промышленном и гражданском строительстве,  |
|      создания модульного        |             |       |       |       |       |           | строительстве пожароопасных объектов       |
|      устройства грозозащиты     |             |       |       |       |       |           | (2008 год)                                 |
|      зданий и сооружений с      |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      обеспечением требований по |             |       |       |       |       |           |                                            |
|      международным стандартам   |             |       |       |       |       |           |                                            |
|---------------------------------|-------------|-------|-------|-------|-------|-----------|--------------------------------------------|
| 130. Разработка базовых         |     97      |  46   |  51   |       |       |           | создание базовой технологии формирования   |
|      конструкций и технологий   |     --      |  --   |  --   |       |       |           | высококачественных гальванических          |
|      изготовления               |     65      |  31   |  34   |       |       |           | покрытий, технологии прецизионного         |
|      малогабаритных             |             |       |       |       |       |           | формирования изделий для                   |
|      переключателей с           |             |       |       |       |       |           | автоматизированных систем изготовления     |
|      повышенными сроками службы |             |       |       |       |       |           | коммутационных устройств широкого          |
|      для печатного монтажа      |             |       |       |       |       |           | назначения (2009 год)                      |
|---------------------------------|-------------|-------|-------|-------|-------|-----------|--------------------------------------------|
| 131. Комплексное исследование и |     825     |       |       |       |       |    825    | комплексное исследование и разработка      |
|      разработка пленочных       |     ---     |       |       |       |       |    ---    | технологий получения новых классов         |
|      технологий изготовления    |     550     |       |       |       |       |    550    | органических (полимерных) люминофоров,     |
|      высокоэкономичных          |             |       |       |       |       |           | пленочных транзисторов на основе           |
|      крупноформатных гибких и   |             |       |       |       |       |           | "прозрачных" материалов, полимерной        |
|      особо плоских экранов      |             |       |       |       |       |           | пленочной основы и технологий              |
|                                 |             |       |       |       |       |           | изготовления крупноформатных гибких и      |
|                                 |             |       |       |       |       |           | особо плоских экранов в том числе на базе  |
|                                 |             |       |       |       |       |           | высокоразрешающих процессов струйной       |
|                                 |             |       |       |       |       |           | печати и непрерывного процесса             |

Страницы: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  



Печать
РАЗМЕСТИТЬ БЕСПЛАТНО:

2003 - 2020 © НДП "Альянс Медиа"
Рейтинг@Mail.ruRambler's Top100