ИННОВАЦИИ И ПРЕДПРИНИМАТЕЛЬСТВО: ГРАНТЫ, ТЕХНОЛОГИИ, ПАТЕНТЫ
innovbusiness.ru
Вверх C30B Выращивание монокристаллов (с использованием сверхвысокого давления, например для образования алмазов  B 01J 3/06); направленная кристаллизация эвтектик или направленное расслаивание эвтектоидов; очистка материалов зонной плавкой (зонная очистка металлов или сплавов  C 22B); получение гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой (литье металлов, литье других веществ теми же способами или с использованием тех же устройств  B 22D; обработка пластмасс  B 29; изменение физической структуры металлов или сплавов  C 21DC 22F); монокристаллы или гомогенный поликристаллический материал с определенной структурой; последующая обработка монокристаллов или гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой (для изготовления полупроводниковых приборов или их частей  H 01L); устройства для вышеуказанных целей
Примечания
(1) В данном подклассе применяемые термины означают следующее:
         - "монокристалл" - продукт, состоящий преимущественно из монокристаллов, но содержащий также и двойниковые кристаллы;
         - "гомогенный поликристаллический материал" - материал, состоящий из кристаллических частиц одинакового химического состава;
         - "определенная структура" - структура материала, состоящего из зерен, ориентированных определенным образом или имеющих размеры больше, чем получаемые в обычных условиях.
(2) В данном подклассе
         - получение монокристаллов или гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой из особых веществ или особой формы классифицируется как в группе для используемого способа, так и в группе  29/00;
         - устройства, специально предназначенные для осуществления определенного способа, классифицируются в соответствующей группе для способа. Устройства, используемые в нескольких видах способов, классифицируются в группе  35/00.

Выращивание монокристаллов из твердого состояния или гелей 3
  C30B 1/00Выращивание монокристаллов непосредственно из твердого состояния (однонаправленное разделение эвтектик на составные части  3/00; под защитной жидкостью  27/00)
  C30B 3/00Однонаправленное разделение эвтектик на составные части
  C30B 5/00Выращивание монокристаллов из гелей (под защитной жидкостью  27/00)
Выращивание монокристаллов из жидкостей; однонаправленное отвердевание эвтектик 3
  C30B 7/00Выращивание монокристаллов из растворов с использованием растворителей, являющихся жидкими при обычной температуре, например из водных растворов (из расплавленных растворителей  9/00; обычным замораживанием или замораживанием при температурном градиенте  11/00; под защитной жидкостью  27/00)
  C30B 9/00Выращивание монокристаллов из расплавов с использованием расплавленных растворителей (обычным замораживанием или замораживанием при температурном градиенте  11/00; зонной плавкой  13/00; вытягиванием кристаллов  15/00; на погруженном затравочном кристалле  17/00; жидкофазным выращиванием эпитаксиальных слоев  19/00; под защитной жидкостью  27/00)
  C30B 11/00Выращивание монокристаллов обычным замораживанием или замораживанием при температурном градиенте, например по методу Бриджмена-Стокбаргера ( 13/00,  15/0017/0019/00 имеют преимущество; под защитной жидкостью  27/00)
  C30B 13/00Выращивание монокристаллов зонной плавкой; очистка зонной плавкой ( 17/00 имеет преимущество; изменением поперечного сечения обрабатываемого твердого тела  15/00; под защитной жидкостью  27/00; для выращивания гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой  28/00; зонная очистка особых материалов классифицируется в соответствующих подклассах для материалов)
  C30B 15/00Выращивание монокристаллов вытягиванием из расплава, например по методу Чохральского (под защитной жидкостью  27/00)
  C30B 17/00Выращивание монокристаллов на затравочном кристалле, остающемся в расплаве в процессе выращивания, например по методу Накена-Киропулоса ( 15/00 имеет преимущество)
  C30B 19/00Жидкофазное выращивание эпитаксиальных слоев
  C30B 21/00Однонаправленное отвердевание эвтектик
Выращивание монокристаллов из паров 3
  C30B 23/00Выращивание монокристаллов конденсацией испаряемого или сублимируемого материала
  C30B 25/00Выращивание монокристаллов путем химических реакций реакционноспособных газов, например химическим осаждением из паровой фазы
  C30B 27/00Выращивание монокристаллов под защитной жидкостью
  C30B 28/00Получение гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой
  C30B 29/00Монокристаллы или гомогенный поликристаллический материал с определенной структурой, отличающиеся материалом или формой (сплавы  C 22C)
  C30B 30/00Производство монокристаллов или гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой, отличающееся воздействием электрического или магнитного полей, волновой энергии или других специфических физических условий
Последующая обработка монокристаллов или гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой 3,5
  C30B 31/00Способы диффузии или легирования монокристаллов или гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой; устройства для этих целей
  C30B 33/00Последующая обработка монокристаллов или гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой ( 31/00 имеет преимущество; шлифование, полирование  B 24; тонкая механическая обработка драгоценных камней, камней для часовых механизмов, кристаллов  B 28D 5/00)
  C30B 35/00Устройства вообще, специально предназначенные для выращивания, получения или последующей обработки монокристаллов или гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой
РАЗМЕСТИТЬ БЕСПЛАТНО:

2003 - 2020 © НДП "Альянс Медиа"
Рейтинг@Mail.ruRambler's Top100